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Zn 掺杂对GdTaO :Eu 荧光粉发光性能的影响
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肖莉红 顾牡 刘小林 张睿 刘冰洁 徐昕
同济大学波尔固体物理研究所,波与材料微结构实验室 上海 200092
E-mail: muguk@
摘 要:采用传统的固相反应法制备 GdTaO : Eu3+ , Zn (x =0~0.23 )荧光粉,
4 0.1 x
研究了 Zn2+共掺杂对 GdTaO :Eu3+ 的结晶行为、晶粒形貌和发光性能的影响。结
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果表明,Zn2+共掺可显著提高 GdTaO :Eu3+ 的光致发光强度,611nm 处的发射谱
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中出现了两个显著峰值:x =0.01 时光强提高至 2.7 倍,可归因于共掺的 Zn2+离
子进入了 GdTaO :Eu3+ 晶格,导致发光离子Eu3+ 晶格场发生畸变;x =0.13 时光强
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提高至 3.2 倍,可归因于 Zn2+ 的助熔剂效果。但当Zn2+掺杂浓度太大(x0.13 )
时,ZnO 、GdTa O 的出现导致发光强度明显减弱。
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关键词:GdTaO :Eu3+荧光粉,固相反应,Zn2+掺杂,光致发光
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一、 引 言
自1964 年以来[1],稀土掺杂钽酸盐发光材料因其在 X 射线成像和平板显示
等领域所具有的重要应用前景而在过去几十年中引起了人们的广泛关注[2-4],其
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良好的发光性能已有诸多报道[5-8]。Eu 掺杂 GdTaO4 因具有密度高(8.84 g/cm ) ,
发光性能好,物理化学性质稳定,辐照硬度强,X 射线吸收系数高,且 Eu3+发光
与 CCD 探测器光谱响应匹配性能好[5]等特性,而受到了广泛的研究。
众所周知,材料的发光强度与如制备方法、烧结程序、材料组分等诸多因素
有关,其中,改变材料组分被认为是提高其发光强度的一条最简单而有效的途径。
掺杂离子以间隙或取代的方式进入基质晶格,由此可引起发光中心晶场的改变,
从而影响发光体的发光性能[9]。据报导,在不少场合下即便少量的 Zn2+离子掺
杂也能极大的提高材料的发光效率 [10-12] ,而有关 Zn2+ 离子共掺杂对
GdTaO :Eu3+荧光粉光致发光性能的影响目前尚未见报道。
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在本文中我们将不同浓度的 Zn2+掺入 GdTaO :Eu3+粉末,通过细致的分析,
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研究了 Zn2+ 对结晶行为、晶粒形貌、粒径分布和发光性能的影响。结果表明,
Zn2+掺杂最大可将 GdTaO :Eu3+荧光粉的发光强度提高至 3.2 倍。
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