GaAs脊形量子线发光性质光致发光谱的研究.pdfVIP

　第 19 卷第 11 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　 　　 . 19, . 11　 V o l N o 　1998 年 11 月　 　　　　 　　　　　　 . , 1998　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S N ov GaA s 脊形量子线发光性质 的光致发光谱研究 牛智川　袁之良　周增圻　徐仲英　王守武 ( 中国科学院半导体研究所　北京　100083) 摘要　本文报道了用M BE 非平面生长方法制备的 GaA s 脊形量子线发光性特实验研究. 低 温、微区、变温和极化光致发光谱等的测试分析表明: 这种由{113}面构成的脊形量子线具有发 光各向异性、激子束缚能明显大于侧面量子阱等特点. 用 模型进行的近似计算 K ronig Penney 结果证实了脊形量子线的横向量子限制效应导致了光致发光峰位置 20 的蓝移. m eV : 6855, 8115 , 7320, 7340 PACC G L 1　引言 量子线结构研究是超晶格物理研究领域重要课题之一, 理论上已经预计了量子线结构 具有独特的发光性质. 目前由于受到制备工艺精度的限制, 量子线的制备还不能实现直接和 [ 1～ 5 ] 稳定重复的制备, 因此其物理性能的测试研究也是初步的 . 近年来人们发展了一种在非 平面衬底上, 用M OCVD 或M BE 直接外延生长量子线结构的方法. 与其他方法相比, 这种 方法可以实现一次外延制备量子线, 避免了多步工艺方法所无法克服的弊端, 可以有效地提 ( ) [ 6～ 12 ] 高量子线的内在质量 如抑制杂质浓度、减少界面缺陷等 , 因而受到重视. 我们曾经开 展了M BE 非平面生长机理的研究[ 13 ] , 可以实现脊形量子线结构的重复生长, 从而为研究量 子线低维结构的发光性质奠定了可靠的实验基础. 本文报道了用M BE 方法在非平面 GaA s (001) 衬底上直接生长的由{113}面构成的脊 形量子线的光致发光谱实验研究. 低温、微区、变温和极化光致发光谱的测试研究结果表明: 这脊形结构均具有明显的横向量子限制效应, 同时证实了这种脊形量子线具有发光各向异 性以及激子束缚能较大的特点, 成为脊形结构形成量子线的有力证据. 2　外延结构及光致发光谱测试分析 ( ) 本实验采用 001 GaA s 衬底, 沿[110 ]方向腐蚀周期为 4m 的条形. 所用M BE 设备为 V G 公司的V 80 M A R K II 系统. 外延层生长了 300nm 的GaA s 缓冲层, 已形成了{113}面的 脊形结构. 然后生长 20 8 20 的量子阱层. 最后覆盖 300 的 nm nm nm A lA s GaA s A lA s