脉冲激光测距仪雪崩光电探测器最佳工作状态和接收灵敏度的研究.pdfVIP

维普资讯 第21卷第2期 光 电 子 技 术 V o1．21No．2 2001年 6月 OPTOE1ECTRONIC TECHNOIOGY Jun．2001 脉冲激光测距仪雪崩光 电探测器最佳工作 状态和接收灵敏度研究 谭显裕 (华 中精密仪器厂研究所 ，湖北宜都 ．443304) 2000年 10月 17 日收封 摘 要 根据脉冲激光测距仪 目前广泛应用 曲迭通型硅雪崩光 电二极管 (Si APD)的噪声谱密度 ，从理论和实验结果分析各种测距精度 的脉冲激光测距仪 ，在 不 同脉冲宽度条件下 ，SiAPD 的负载 电阻、接收放大器带觅、噪声等效功率、最小 可探测功率 以及信噪 比等数据 ，并将其进行 比较 。说 明保持SiAPD器件 的最佳工 作状态是提高激光测距便的探测灵敏度和测量数据 的稳定性 、可靠性的重要条件 。 关键词 脉冲激光测距便 硅雪崩光 电二极管 信噪 比 灵敏度 最佳工作 状 态 中图分类号 ：TN315 ．2 文献标识码 ：A 文章编号 ：1005～488X(2001)02—0129-09 引 言 目前 ，脉冲激光测距仪 的探测光源广=泛采用 “掺钕 ：钇铝石榴石 (Nd：YAG)”为器件 的脉冲光源 。这类仪器 的测距精度一般为 10m、5m，采用新技术后可达 1m、0． m；测程一 般为 5km、10km和 20km，最大测程可达 30km。但是 ，1．06p．m 的光波易受大气 中硝烟、 疆、雾的影 响，在传输过程 中大气对激光束按指数 exp[2aL]分布衰减很快。若采用 PIN 硅 光 电二极管探测 ，其噪声 电平 虽然可 以达到 10-14AH{“量级 ，但系统灵敏度 困受放大器热 噪声电平的限制 ，实际只能达到 10 。AH 量级 ，且无增益 ；如果采用 si—APD器件探测 ，因 其量子效率高，具有将光信号倍增 10～100倍的内增益 ，且倍增后的噪声仅与放大器本身的 热噪声 电平相 当，从而冲破 了晶体管宽带放大器制作水平 的限制 ，大大提高 了接收系统 的信 噪 比，这是 SI—APD器件广泛用于探测 1．06p．m光信号 的最大优点 。但 Si—APD器件在倍增 过程 中产生的附加噪声又成了限制信噪比进一步提高的障碍 ，目前仅探测 lO w 量级的回 波光功率。因此，在接收系统获得最大信噪比条件下，如何确定 Si—APD器件的最佳倍增 因 子 吖 ，以提高仪器 的光探测灵敏度和测量数据 的稳定性 、可靠性是本文 的中心 内容 。 诨显裕 男 ，1963年生．毕业于电子科技大学 ．现为华中精密仪器厂高级工程师 。主要 事相位激l光 测距仪 、脉冲激光测距仪整机 、电路方面 的工作 研究方 向为 电子物理学光 电子技术 维普资讯 光 电 子 技 术 铕 2】卷 图 l是 SiAPD器件 的伏安特性 曲线 ，其 中450V是其反 向工作 电压 的临界线 。如果 sj— APD器件要 获得最 大倍 增 因子 ，则反 向工作 电压应 大于 420V 而小于 450V，它 的最佳倍 增 因子 M 所对应 的工作 电压范 围为 360V V 420V，(R为最佳 工作 电压 )。 根据参 考文献 [1]，Si—APD器件 的光探测 信 噪 比 (ⅣR)为 SNR一 (MP r／e／hv) JT+ 2e B ( + ：b+ d)] 一 (M P 仉 ／h ) ／{4kTB／Rr+ 2eM [pe／hv(P +P + I．d)]) (1) 式 中， 为 Si—APD 的倍 增