Infineon与日月光推更高集成度半导体封装.pdfVIP

维普资讯 行业快讯 · 电 子 工 业 董 用 设 吝 ■ · 太阳能光伏产业将成为世界范围的朝阳产业 ， 前出台。此外，国家有关部 门还制定了软件与集成 英利集团近年来逐步打造完整的产业链，这次新增 电路产业发展条例，将软件与集成电路发展纳入法 400MW 太阳能电池工程将采用更为先进的技术， 制轨道，此条例 已经纳入今年国务院的立法规划。 工程建成后集 团将拥有世界上最先进 的太阳能电 据 了解 ，国家 “十一五 ”规划和相关 的科技规 池生产线。 划都把发展半导体产业作为重点，国家 “十一五” 科技规划确定的 16个重大专项课题 中，有 2个与 集成 电路有关。“十一五”期问，国家将通过对半导 体产业的深入规划，进一步做大产业规模，提高 自 主创新能力，形成 以企业为主体的创新体系。以应 用为先导，设计为重点，加快专用设备和仪器、仪 英特尔公司大连芯片工厂负责人近 日表示：新 表 的发展 。根据信息产业部规划，到 2030年，我国 工厂建设取得～系列重要进展，他对 中方提供的通 半导体行业销售规模将达到 3000亿元，占有世界 力合作和鼎力支持感到非常满意，坚信大连芯片厂 市场份额 8％，IC封装业进入国际主流领域 。 将为大连和英特尔带来更加繁荣、光明的未来。 今年 3月，英特尔公司宣布在中国东北港 口城 市大连建设 1座大型芯片制造工厂。根据协议，大 连芯片厂首期投入 25亿美元，项 目建设期为 5年 。 建成达产后形成月产 300mm、90nm集成 电路芯 片52000片的生产能力。大连芯片厂是英特尔公 英飞凌科技和 日月光近日宣布，双方将合作推 出 司全球第八家、亚洲首家芯片工厂。 更高集成度半导体封装，可容纳几乎无穷尽的连接元 自奠基以来，工厂建设取得～系列重要进展 。 件。与传统封装(导线架层压)相 比，这种新型封装 目前，新工厂已经完成了超过 200万个工时的建设 的尺寸要小30％。英飞凌通过全新嵌入式WLB技术 投入 ，工厂建筑 已完成 2层，其他所有生产支持性 (eWLB)成功地将晶圆级球阵列封装 )工艺的优 建筑也都将在不久后拔地而起 。 越性进行了进一步拓展。与WLB一样，所有操作都是 科 比介绍说，2008年底将开始启动工厂运转 在晶圆级别上并行进行，标志着晶圆上所有芯片可以 所需的供热、制冷及 电力等关键系统，预计全部建 同时进行处理。 设工程将在 2009年上半年竣工 。 eWLB技术有WLB技术突出优点，如小型封装 此外，新工厂明年将大规模招募大连地区及整 尺寸、卓越电气性能和热性能以及最大连接密度，还大 个中国的优秀高校毕业生。据估算，工厂一期工程 大提高了封装的功能和适用范围。由于eWLB，面 向 投产后将提供约 1700个就业 岗位。 移动通信应用的调制解调器和处理器芯片等复杂半 导体芯片要求在最小的尺寸上实现拥有标准接触间 距的大量焊接 。同时，这些封装上可以提供所需的足 够多的焊接触点。在芯片周围实现适当额外布线区 意味着该