InP基长波长单片集成光接收前端的设计和制备.pdfVIP

维普资讯 《半导体光 电))2007年 12月第 28卷第 6期 李轶群 等： InP基长波长单片集成光接收前端的设计和制备 InP基长波长单片集成光接收前端的设计和制备 李轶群 ，崔海林，苗 昂，吴 强，黄 辉，黄永清，任晓敏 (北京 邮电大学 光通信与光波技术教育部重点实验室 ，北京 100876) 摘 要： 叙述 了利用 InP基长波长 pin光探测器和异质结双极 晶体管(HBT)单片集成实现 光接收前端的设计和制备方法。pin光探测器和 HBT采用共享层结构 ，这样 的结构不仅性能优于 堆叠层结构，而且制备工艺兼容。制备的HBT截止频率达到30GHz，pin光探测器的3dB带宽达 到了 15GHz，集成光接收前端的 3dB带宽达到 3GHz，跨阻放大倍数达到 800。 关键词： 光电集成 ；光接收前端 ；HBT；pin光探测器 中图分类号：TN929．11 文献标识码 ：A 文章编号 ： DesignandFabricationofInP／InGaAsLongWavelengthMonolithicIntegratedPhotoreceiver LIYi—qun。CUIHal—lin，MIAO Ang，W U Qiang，HUANG Hui，HUANG Yong—qing，REN Xiao—min (KeyLaboratoryofOpticalCommunicationandLightwaveTechnologiesofMinistryofEducation， BeijingUniversityofPostsandTelecommunications，Beijing100876，CHN) Abstract： InP／InGaAspin-HBT monolithicintegratedphotoreceiverwasdesignedand fabricated．The share layer structurewas adopted forimproving performance and compatible technics．ThecutofffrequencyofHBT iS30GHZ，the3dB bandwidthofpinphotodetectoriS15 GHz。the3dB bandwidthofphotoreceiveriS3GHzandamplificationfactoriS800． Keywords： optoelectronicintegration；photoreceiver；HBT ；pinphotodetector 1 引言 求 。OEIC光接收前端可 以采用 pin光探测器和 (HBT)集成 ，也可 以采用金属一半导体一金属 (MSM) 光纤通信的迅猛发展 ，对光电子器件的集成化 、 光探测器和高电子迁移率 晶体管 (HEMT)集成。 可靠性和成本等方面提出了更高的要求 ，分立器件 后者采用平面结构 ，对光刻条件要求苛刻 ，通常都在 和电路 已经不 能满足上述要求。光 电集成 电路 1ym 以下 。而采用 InP基 pin光探测器和 HBT集 (OEIC)将光器件和电器件集成在 同一芯片上 ，可以 成 ，器件速率高，可以满足长波长光纤通信的要求 ， 同时处理光信号和电信号，而且具有体积小 ，寄生参 同时对光刻条件要求不高 ，是一种 比较理想 的集成 数小，可靠性高，成本低等优点，受到越来越多的关 方式 。国外在这方面开展 了许多研究工作口 ]，目 注，成为 目前相关领域研究的热点。 前实验室实现的pin／HBT单片集成光接收前端最 光接收前端是光纤通信接收模块 中重要的组成 高速率可以达到 75GHz_