1.3-1.4 不均匀电场中气体击穿-气体间隙稳态击穿电压.pptVIP

流注发展阶段 电子崩进入棒电极，正电荷留在棒尖加强了前方（板极方向）的电场； 电场的加强对形成流注发展有利。头部前方产生新电子崩，吸引入流注头部正电荷区内，加强并延长流注通道； 流注及其头部的正电荷使强电场区向前移，促进流注通道进一步发展，逐渐向阴极推进，形成正流注 E0—原电场；Eq—空间电荷电场；Ecom—合成电场 E0 (c) Ecom=E0+Eq E0 E Eq x (a) (b) Eq Eq － － ⑴ 正极性（正棒—负板） 正空间电荷 （正极性） 削弱棒极附近电场 棒极附近难以形成流注，起始电晕电压高 加强了正空间电荷外部朝向板极的电场 有利于流注向间隙深处发展，故其击穿电压低 正空间电荷积聚，削弱了电离 积聚的正空间电荷在间隙深处加强电场 ⑴ 正极性（正棒—负板） ⑵ 负极性（负棒—正板） 非自持放电阶段 电子崩中电子离开强电场区后，难以再引起电离，正离子逐渐向棒极运动，在棒极附近出现了比较集中的正空间电荷，使电场畸变 棒极附近的电场得到增强，因而自待放电条件就易于得到满足，易于转入流注而形成电晕放电 E0—原电场；Eq—空间电荷电场；Ecom—合成电场 Ecom=E0+Eq (c) E0 E Eq x (a) (b) E0 ＋ ＋ Eq Eq 流注发展阶段 电子崩由强场区向弱场区发展，对电子崩发展不利。棒极前的正电荷区消弱了前方（阳极方向）空间的电场，使流注发展不利 等离子体层前方电场足够强后，发展新电子崩，形成了大量二次电子崩，汇集起来后使得等离子体层向阳极推进，形成负流注 E0—原电场；Eq—空间电荷电场；Ecom—合成电场 Ecom=E0+Eq (c) E0 E Eq x (a) (b) E0 ＋ ＋ Eq Eq ⑵ 负极性（负棒—正板） 正空间电荷 （负极性） 加强棒极附近电场 棒极附近易于形成流注，起始电晕电压低 削弱了正空间电荷外部朝向板极的电场 不利于流注向间隙深处发展，放电发展困难，故其击穿电压高 正空间电荷积聚，加强了电离 积聚的正空间电荷在间隙深处减弱电场 ⑵ 负极性（负棒—正板） 结论 正极性 （正棒—负板） 负极性 （负棒—正板） 电晕起始电压 高 低 间隙击穿电压 低 高 在相同气隙下 放电进一步发展 外电压较低时，流注通道深入间隙一段距离后，就停止不前了，形成电晕放电或刷状放电 外电压足够高时，流注通道将一直达到另一电极，从而导致间隙完全击穿 间隙距离较长时，流注通道中的电子及流注的部分电子将沿流注通道流向棒极，与通道中原子和离子发生碰撞，使流注通道的温度升高。在流注根部温度升得最高。当流注发展到一定的长度后，其根部的温度将达到很高的温度，出现热游离，这个具有热游离过程的通道叫先导。 先导通道：热游离过程强烈，导电性好，轴向电场低，延伸了棒极，加强了流注前方电场，导致流注和先导不断向前延伸。 流注发展接近阴极：先导头部和阴极电场达到极大值，产生更强烈的游离，形成主放电通道。 2. 长间隙极不均匀电场中的放电过程-先导和主放电 * * * 流注根部温度升高 热电离过程 先导 通道 电离加强，更为明亮 电导增大 轴向场强更低 发展速度更快 长空气间隙的平均击穿场强远低于短间隙？ 先导头部达到板极。小间隙中的高场强引起强烈电离，带电粒子浓度高。 强电离区迅速向阳极传播——主放电过程。 主放电通道贯穿电极间隙——击穿。 特点：由于头部场强极大，所以主放电通道发展速度及电导都远大于先导通道。 长间隙放电：电晕放电、先导放电、主放电。 2. 长间隙极不均匀电场中的放电过程-主放电过程 * １——主放电通道 ２——主放电和先导通道的交界区 ３——先导通道 * 负地闪发展过程 * Development of a leader(1-10) and main discharge * 雷击过程发生于北京时间2011年7月31日18:57:23，雷电定位系统查询回击电流为-19.1kA，雷击点距离观测点583m。观测点为国网电科院楼顶，观测方向朝向华美达和东鑫大楼，迎面先导起始于东鑫楼顶。 1 气体电介质的绝缘特性 * * 1.4 气体间隙的稳态击穿电压 气隙击穿的必备条件 足够大的电场强度或足够高的电压； 在气隙中存在有效电子； 有效电子→引起电子崩并导致流注和主放电 需要有一定的时间，让放电得以逐步发展并完成击穿。 持续电压（直流、工频电压），电压的变化速度很小。相比之下放电发展所需时间可以忽略不计，当气体状态不变时，一定距离的间隙的击穿电压具有确定的数值。 非持续电压下（雷电、操作冲击电压），因为电压波来去速度很快，放电发展速度就不能忽略不计了。间隙的击穿电压与作用电压的波形（即作用时间）有很