PdSb(Mn)薄膜光学性质的研究.pdfVIP

　第 20 卷第 6 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 6　 V o l N o 　1999 年 6 月　　　　　　 　　　　　　 , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S June ( ) 薄膜的光学性质研究 Pd Sb M n 程　磊　赵一广　吴　克　焦鹏飞　陈娓兮 (北京大学物理系　北京 100871) 摘要　 本文系统地研究了用固相反应再生长法在 型 衬底上制备的 ( ) 薄膜 P GaA s Pd Sb M n 的光学性质. 通过对不同薄膜厚度、材料组分、退火温度和时间下的反射与透射率谱的研究表 明, 在近红外区存在一个较强的反射峰; 当薄膜厚度为 50nm 左右, 退火温度在 300 ℃到 350 ℃, 钯与锑原子比为 1 ∶1 时, 可以得到较大的反射和一定的透射, 有可能用作垂直腔面发 射半导体激光器的 P 型边谐振腔镜兼注入电极. PACC: 7865, 6855, 6860 1　引言 采用固相再生长法( ) 在 型 表面制备的 ( ) 薄膜 So lid Phase R egrow th P GaA s Pd Sb M n 具有良好的欧姆接触特性. 当 型 掺杂浓度为 4 5 ×1019 - 3 时, ( ) 薄膜经 P GaA s cm Pd Sb M n - 7 2 ( ) [ 1 ] 快速退火处理后接触电阻率可降至 4 5 ×10 · , 且高温 300 ℃ 下保持性质稳定 . cm 从样品截面的高分辨率 T EM 照片可以看到薄膜与 GaA s 衬底的接触面具有原子尺度的平 [ 1 ] 整性 . 因而, 这种薄膜很可能适于制作垂直腔面发射半导体激光器的 P 型边谐振腔镜, 改 进目前常用的 多层布拉格反射堆结构, 同时兼作 型边注入电极. 然而, 到目 GaA s A lA s P 前为止, ( ) 薄膜的光学性质尚未被深入研究. Pd Sb M n 由于 型 材料的电阻率较高, 通常比相应的 型材料高一个量级以 P GaA s A lA s N 上[ 2, 3 ] , 用其制作多层布拉格反射堆作为垂直腔面发射半导体激光器的 P 型边谐振腔镜具 有严重缺陷. 由P 型边布拉格反射堆导致的高串联电阻成为这种激光器在