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SiC 衬底上SiCGe 外延薄膜的结构分析1 陈治明，李连碧，林涛，蒲红斌，李佳，李青民 西安理工大学电子工程系，陕西西安（710048 ） E-mail ：Chenzm@ 摘 要：用SEM 和TEM 对热壁化学气相沉积法(HWCVD)在SiC 衬底上外延生长的SiCGe 薄膜进行了结构分析，发现薄膜生长具有明显的随温度改变的岛状生长特征，且遵循 Stranski-Krastanov （SK ）生长模式。温度较低时，在生长初期形成的2D 生长层的上方，样 品具有两种不同的岛状结构：一种是球形结构，另一种是三角型层状堆叠结构。前者形状规 则，在样品中占主导地位，后者具有锐利整齐的台阶状边缘，数量较少。随着温度的升高， 球形岛逐渐减少，三角岛逐渐增多，且在高温下样品中的三角岛占主导地位。高分辨TEM 分 析表明，高温SiCGe/SiC 样品的界面清晰整齐，其生长初期形成的2D 层厚度达到了40nm ， 几乎为温度较低时2D 生长层厚度的两倍。衍射花样的标定表明：2D 层和三角岛为闪锌矿 型结构，而球形岛则为金刚石型结构。 关键词：SiC；SiCGe；岛状生长；热壁化学气相沉积 中图分类号：O484.1 1．引言 碳化硅器件在高温电子学领域具有硅器件不可比拟的优势。然而，SiC 对可见光和近红 外光不敏感，这限制了它在高温光电子学的应用。解决这个问题的可行方法之一就是采用 SiCGe/SiC 异质结结构。具有适当组分的 SiCGe 三元合金可以作为光吸收层，而使 SiC 器件 在一定波长范围内具有光敏性。目前，生长单晶 SiCGe 薄膜的技术尚处在开发初期，而且 大多数关于 SiCGe 三元合金的研究都集中于使用 Si 衬底，在 SiC 衬底上进行 SiCGe 三元合 金异质外延生长的研究工作很少[1] 。 了解薄膜的生长机制，对在 SiC 衬底上成功生长单晶 SiCGe 薄膜具有基础意义。在我 们的前期研究中，发现 SiCGe 三元合金在 SiC 衬底上的外延生长大多为岛状生长模式[2]，而 生长温度的不同将会导致岛状生长特征的不同。本文通过 SEM 和 TEM 对不同生长温度的 SiCGe 2 ．实验 SiC 衬底经适当清洗处理后放入 LPCVD 生长室中。Si,Ge,C 的气源分别采用硅烷(SiH ， 4 10％氢气稀释) 、锗烷(GeH ，5%氢气稀释)和丙烷(C H ，10％氢气稀释) ，采用氢气作为 4 3 8 载气，生长温度在 980 ℃-1060℃范围内改变，生长时间为 1h，生长压力为 300Pa 。关于 生长设备和工艺的详细情况请参考文献[2]。 生长出来的 SiCGe 薄膜采用 SEM 观察表面形貌，用 TEM 观察薄膜内部结构。测试 所用的 SEM 设备是日本 JEOL 公司的 JSM-6700F 型，透射电子显微镜的型号为 JEM-3010 。 3 ．实验结果及讨论 1本课题得到国家自然科学基金和教育部高校博士学科点专项科研基金项目(20040700001)的资 助。 - 1 - 图 1(a)、(b)、(c)分别为外延温度 980℃、1030℃和 1060℃的 SiCGe 薄膜的 SEM 照片， 其他外延条件均完全相同。 图1 不同外延温度的 SiCGe 薄膜 SEM 照片 (a)980℃ (b) 1030℃ (c) 1060℃ Fig. 1 SEM images of the SiCGe thin films grown at different temperatures. (a)980℃ (b) 1030℃ (c) 1060℃ 从这些照片中可以观察到，外延温度为 980℃样品具有两种不同的岛状结构特征，一种