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金属硬掩膜打开工艺中的CD偏差负载控制 2013-11-6 　作者：D.J. Wang、M. D. Hu、J. Q. Zhou、C. L. Zhang、H. Y. Zhang，SMIC，Shanghai；X. P. Wang，SMIC，Beijing 　 核心提示：本文系统研究了密集线条和孤立线条间CD刻蚀偏差参数对金属硬掩膜刻蚀工艺的影响，涉及的范围有化学气体、源功率、压力、偏差功率以及ESC温度。而且，在基于Cl2和基于HBr的BARC打开步骤之间，还看到刻蚀化学气体对CD负载的有重大影响。此外，也发现M-HM的应力和刻蚀后剖面影响CD负载性能。成功地展示了改善钨触点和铜沟槽之间电气互连的解决方法。 由于集成电路（IC）的尺寸持续缩小，从版图到实际晶圆的精确图形转移越来越具挑战性。由于在不同的图形处（如密集线条和隔离（ISO）线条）固有的微观和宏观环境的差异，在反应离子刻蚀（RIE）工艺中，不同图形中CD刻蚀偏差负载是无法避免的。总的来说，负载效应本质上来源于等离子刻蚀特性的不同行为，例如，化学物质刻蚀、物理轰击刻蚀、以及具有不同CD、图形密度和深宽比的各种图形处的聚合物钝化。 本文系统地研究了在M-HM刻蚀工艺上CD刻蚀偏差负载行为，涉及的范围有刻蚀化学气体、源功率、偏差功率、压力、以及静电夹具（ESC）温度。特别是，利用了基于CH4固化光刻胶掩膜的负载效应。而且，也研究了刻蚀化学气体有关基于HBr和基于Cl2在BARC打开步骤时的作用。此外，还谈到了金属硬掩膜（M-HM）的应力和刻蚀后剖面的负载行为。根据有关刻蚀偏差负载控制的研究成果，提出了针对改善钨触点和铜沟槽之间电气互连这一特例的解决方法。 实验 刻蚀参数的影响 图2总结了CD刻蚀偏差随不同刻蚀参数而变化的情况，这些参数有：压力、源功率、偏差功率、ESC温度和O2流量，这里，在TCP室内研究密集沟槽、隔离沟槽和隔离线条处的CD。通常，密集沟槽处的CD刻蚀偏差随这些刻蚀参数的变化趋势与隔离沟槽处的类似，而在隔离线条处能观察到相反的趋势。当CD刻蚀偏差在密集沟槽处变小时，它常常在隔离沟槽处也变小，不过在隔离线条处却变大。CD刻蚀偏差或CD本身基本上是侧壁处各向同性化学刻蚀、各向异性物理轰击刻蚀和钝化聚合物淀积共同作用的结果，如图3所示。如果侧壁处各向同性刻蚀方面比较强，或淀积的钝化聚合物比较少，侧壁就会在刻蚀过程中不断后退，与它位于密集沟槽、隔离沟槽、或隔离线条处无关。这将导致在密集沟槽和隔离沟槽处的CD或CD刻蚀偏差比较大，而隔离线条处的CD或CD刻蚀偏差比较小，这是因为隔离线条是沟槽某种方式的补偿图形。 整体观察图2可见，密集沟槽对刻蚀参数变化的敏感性不如隔离沟槽和线条。换言之，当刻蚀参数变化时，密集沟槽处CD偏差绝对变化比隔离沟槽和线条处小。实际上，这是众所周知的RIE中由于它们在制作图形密度和纵横比上的差异的负载效应。负载效应本质上来自在不同图形处的各向同性化学刻蚀、各向异性物理轰击刻蚀和钝化聚合物淀积。若它们的输运量不充足，由于消耗自由基（the radical）和产生聚合物的图形密度不同，化学和聚合物种类密度的加载将发生在密集区域和隔离区域之间，如图3所示。由于密集区域的侧壁结构比例比其他区域大，各向同性化学物刻蚀或钝化聚合物淀积方面的任何变化将在该处被平均与弱化。相反，各向同性化学物刻蚀或钝化聚合物淀积方面的任何变化将施加在隔离侧壁区域。因此，隔离沟槽和线条二者比密集沟槽对刻蚀参数的变化更为敏感。 除了这些一般的观察或趋势外，某些特殊的CD刻蚀偏差行为可单独地对刻蚀参数观察到。如在图2看到的，单调地增加O2气体流量和ESC温度增加了密集和隔离沟槽处的刻蚀偏差，同时减少了隔离线条处的刻蚀偏差。对气压和偏置功率来说，则能观察到相反的趋势，而在源功率可利用区间内，能观察到比较复杂的趋势。基本上，增加O2气体流量或减少偏置功率能增强各向同性化学刻蚀，而增加ESC温度能减少在侧壁上的钝化聚合物淀积。这些效应能加大CD刻蚀偏差。气压的情况要复杂些，因为通过降低抽气强度而增强内部物质散射和钝化聚合物淀积，它可改变各向同性化学刻蚀。但根据图2给出的结果，聚合物淀积方面在这里似乎更明显，能观察到不断减少的趋势。源功率的情况更加复杂，已经观察到很复杂的趋势。它可能是在所利用气压的不同区域处化学物质产生的和聚合物产生的共同作用结果。注意到气压和温度在调节隔离沟槽的CD偏差上比较明显，而O2气和偏置功率对隔离线条和隔离沟槽CD偏差调节更有利，这是比较有意思的。这一点对效率的考虑是很重要的，因为在调节其它图形上的CD刻蚀偏差时，密集沟槽CD常常需要保持在确定的目标上 刻蚀化学气体的影响 除了这些刻蚀参数以外，还在ICP刻蚀室里研究了在BARC打开步骤时的化学气体，即基