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第30卷第5期 硅 酸 盐 通 报 v。1．30N。．5
单晶硅衬底异质外延3C-SiC薄膜研究进展
石 彪1”，朱明星1”，陈 义1，刘学超1，杨建华1，施尔畏1
(1．中国科学院上海硅酸盐研究所，上海201800；2．中国科学院研究生院，北京100049)
低成本薄膜的有效方法，备受人们关注。单晶Si与3c—sic之间存在较大的晶格失配(20％)和热膨胀系数差异
(8％)，严重制约着高质量单晶薄膜的制备。本文对单晶Si衬底异质外延3c-Sic薄膜的基本原理和工艺过程进行
了总结，着重介绍了薄膜生长中的缺陷和可控掺杂方面的研究进展以及面临的挑战，并对今后的研究热点做了归
纳展望。
关键词：3C．SiC；化学气相沉积；异质外延；缺陷
中图分类号：7I．Q171 文献标识码：A
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