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大学化学基础 太阳能光伏电池及其应用试题 第五章 三、论述 1. 请从材料、性能及制造结构等方面，阐述单晶硅、多晶硅、非硅硅及微晶硅薄膜太阳能电池的相同点和不同点，并简单地介绍一下硅太阳能电池的现状及发展前景。 5. 什么叫微晶硅？ 6. 光封闭技术在什么条件下才能达到？（P99） 第六章 CIS以及CIGS系太阳能 6.1??引言6.2??CIS以及CIGS系半导体的基础物性及其特性6.3??CIS以及CIGS系太阳能电池的结合形式与制法6.4??模板制造法及其规模生产技术6.5??RD领域的新进展6.6??结束语 一、填空 1. ?CIS： ， CIGS： 。 2. 随着太阳能电池片逐渐向薄膜化发展，目前正在研究开发的是 。CIS的禁带宽度为 ，与太阳能电池最适宜的禁带宽度 偏小的值。 3. CIGS系太阳电池的特点是 和 。 4. 在一般的半导体中，通过不纯物添加，进行p型、n型的控制，CIS系用 进行控制，也就是固有缺陷控制，才有可能 。 5. Mo和Se的反应活性高，Mo/CIS界面状态对膜的 有 很大影响。 6. 在CIGS光吸收层上，用 可以产生CdS。 第六章 7．硒化法主要用于 的制造。 8. 与硅系薄膜不同，由于CIGS是软材料，因此不能用 ，可以用 。 9. CIGS系太阳能电池，小面积电池片的转换效率已经达到 的程度，而大面积模板的转换效率为 。 10. 为了实现串联太阳能电池，有必要对开发迟缓的 的材料的高品质化加快进程。 11. 为了实现串联结构，有必要在部开发禁带宽度更广的 。 12. CIGS系太阳能电池的制造方法中，广泛使用 、 ，除此之外，还有 、 。 第六章 13. 多晶薄膜太阳电池中，开路电压（Voc）是禁带宽度（Eg）的函数，通常经验性地表示为 。 14. CIGS系太阳能电池是以 为特征的。 15. 不使用青板玻璃时，也可以使用 、 、 、 等Na的化合物进行Na参加。 二、简答 1. CIGS系半导体的特点有哪些？ 2. CIGS系太阳能电池的基本结构如何？可用图表进行说明。 3. 在CIGS系太阳能电池的制造方法中，请介绍什么是蒸镀法？什么是硒化法？ 4. 在CIGS系太阳能电池中，请说明添加Na好处有哪些？ 第六章 5. 什么叫光照射效应？ 6. 简述CIS和CIGS系太阳能电池的新进展表现在哪些地方。 三、论述 1. 请从材料、性能以及制造方法上，比较说明Si系太阳能电池和CIS、CIGS系太阳能电池有哪些异同。 2. 请从材料开发及制造技术方面分析，如何才能提高CIGS系太阳能电池的效率？ 第六章 第七章 Ⅲ-Ⅴ族太阳能电池 ?7.1??引言?7.2??Ⅲ-Ⅴ族半导体太阳能电池所用材料的特点?7.3??GaAs系太阳能电池片的结构及其制法 7.4??超高效率多结太阳能电池及其构成?7.5??聚光型太阳能电池技术及其现状?7.6??RD领域的新进展 一、填空 1. 太阳能电池材料是由元素周期表中的Ⅲ族元素 、 和Ⅴ族 、 元素组成的半导体，如用 、 等由Ⅲ-Ⅴ族化合物组成的半导体所 构成的太阳能电池。 2. GaAs或InP太阳能电池由于 且 ，作为空间太阳能电池已经被实用化。 3. 太阳能电池材料的禁带宽度Eg为 左右，认为是最合适的，Eg为 的GaAs及 的InP等应该是合适的。 4. 化合物半导体太阳能电池有 、 、 的种种优点，对于电池片结构，也在进行许多尝试。 第七章 5. 对于太阳能电池的制作，历来都是用常用的 ，但现在有可能多层生长的大面积化、规模生产化的 已成为主流。 6. 由于大多数化合物半导体的能带结构都是 型的，因此不像间接跃迁型的Si那样容易产生太阳能电池特性的 现象。 7. 化合物半导体由于有 能带结构，且 ，因此作为薄膜太阳能电池显示出了可用性。 8.