桥式驱动功率MOSFET电磁干扰与抑制.pdfVIP

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2017-08-30 发布于安徽
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桥式驱动功率MOSFET电磁干扰与抑制.pdf

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第37卷第1期南京航空航天大学学报 V01．37No．1 Feb．2005 2005年2月 of ofAeronauticsAstronautics JournalNanjingUniversity 桥式驱动功率MOSFET的电磁干扰与抑制吴凤江，孙力，高晗璎，王有琨 (哈尔滨工业大学电气工程系，哈尔滨，150001) 摘要：为解决功率MoSFET因栅极驱动信号振荡产生的过热损坏问题，从M0sFET的模型入手，给出了考虑驱动电路各寄生参数的半桥逆变电路等效模型，深入分析了栅极振荡的产生机理，推导了各参数与振荡之间的关系表达式，绘制了以各参数为自变量的振荡三维时域暂态关系曲线，并以此为依据进行参数优化设计，通过增加 M0sFET开通时间，最大程度地抑制振荡。理论分析和实验结果表明，改进后的驱动电路简单、实用，实现了系统的安全稳定运行。关键词：MoSFET；逆变器；振荡中图分类号：TMl31．2 文献标识码：A 文章编号：1005—2615(2005)01一0029一05 ofPowerMOSFET Interference Electromagnetic with DriVeandIts Bridge Suppression WU b，GAo You—k钍他 Feng一缸ang，sUNHan一≯ing，WANG ofElectrical Instituteof (Department Engineering，Harbin oftheMoSFETcircuitmodelofthe in— Abstract：Inordertoeliminatetheoscillation gate，a half_bridge thedrivecircuitis forwardbasedontheMOSFET verter of model．By consideringstrayparameters put thecircuit theosciUationiscausedthe the d口／d￡produced power analyzing topology by high during MOSFET and anddistributedinductance．ThedriVecircuit junctioncapacitance parameters switching curvesof aredevised tothetransientdomainthree—dimensional according timing relati