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59 12 20 10 12
第 卷第 期 年 月 物 理 学 报 Vol . 59 ，No . 12 ，December ，20 10
1000 -3290 / 20 10 / 59 (12 )/8920-07 ACTA PHYSICA SINICA 20 10 Chin . Phys. Soc .
射频反应磁控溅射法制备的氟化类金刚石
薄膜摩擦特性研究
王培君 江美福 杜记龙 戴永丰
( ， 2 15006 )
苏州大学物理系 苏州
(2009 12 17 ;20 10 5 6 )
年 月 日收到 年 月 日收到修改稿
，CHF Ar ，
以高纯石墨做靶 3 和 气为源气体 采用射频反应磁控溅射法在不同流量比条件下制备了氟化类金刚
(F-DLC) . 、 、 、 、
石 薄膜 利用原子力显微镜 纳米压痕仪 拉曼光谱和红外光谱 摩擦磨损测试仪对薄膜的表面形貌 硬
、 . ， ，
度 键结构以及摩擦性能做了具体分析 表面形貌测试结果表明 制备的薄膜整体均匀致密 表现出了良好的减摩
. CHF Ar r 1∶ 6 ， 0. 42 ， ，
性能 当 3 与 气流量比 为 时 所得薄膜的摩擦系数减小至 而纳米压痕结果显示 此时薄膜的硬度
. ， r ， F ， . ，F
也最高 拉曼和红外光谱显示 随着 的增加 薄膜中的 浓度呈上升趋势 薄膜中的芳香环比例减小 研究表明
原子的键入方式是影响 F-DLC 薄膜摩擦系数的一个重要因素，CF2 反对称伸缩振动强度的减弱和 C C 中适量碳
氢氟键的形成都能导致薄膜具有相对较低的摩擦系数.
: ， ，
关键词 摩擦性能 射频反应磁控溅射 氟化类金刚石薄膜
PACC :8 115 C ，7830 L ，3365 F ，8 140 P
域已受到了广泛关注. ，F
研究表明 的掺入可以有效
1. 引 言 降低材料表面自由能，C— Fx 的形成还有助于降低
. ， C— C
薄膜的介电常数 值得注意的是 由于 键交联
3
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