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机 械 度 2003，25(4)：395—4OO
微桥法研究低应力氮化硅力学特性及误差分析
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宗登刚料 1,2 王钻开 陆德仁 王聪和
(1．中国科学院上海微系统与信息技术研究所 传感技术国家重点实验室，上海 2OOO5O)
(2．香港理工大学 应用物理系，香港)
ZONG Denggang’ WANG Zuankai LUDeren WONG Conghe
(1．State研 ／．aboratoryofTransducerTechnology，ShanghaiInstituteofMicrosystemandInformationTechnology，
ChineseAcademyofSciences，Shanghai200050，China)
(2．DepartmentofAppliedPhysics，HongKongPolytechnicUniversity，HongKong，China)
摘要 用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能。对符合弹性验则的微桥进行测试，在考虑衬底变形的
基础上，利用最小二乘法对其载荷一挠度曲线进行拟合 ，得到低应力 lowpressurech~nicalvapourdeposited(IPCvD)氮化硅
的弹性模量为314．0GPa±29．2GPa，残余应力为265．0NPa±34．1NPa。探讨梯形横截面对弯曲强度计算和破坏发生位
置的影响，得到低应力氮化硅的弯曲强度为6．9GPa±1．1GPa。对微桥法测量误差的分析表明，衬底变形、微桥长度和厚
度的测量精度对最终力学特性的拟合结果影响最大。
关键词 微 电子机械系统 微桥 低压化学气相淀积 氮化硅 弹性模量 残余应力 弯曲强度
中图分类号 0343
Ab醴脚 ThemechanicalpropertiesofMENSmaterialshaveatlractedmanyeffortsduringtheseyears．Severalmethodswerede-
veloped，yetthemeasuredresultsvaried．Themechanicalpropertiesoflowsir@88lowpressurechemicalvapourdeposited(I_PCVD)Sili-
connitridefilm wasinvestigatedbythemierobridgemethodusingaweagetipunderthenanoindentor．AnelasticcheckingcriterionWills
pID1)0sedandcarriedouttoSCll~noutunelasticmierobridgesamples．Withtheconsiderationofthesubsla-atedeformationandcrⅨ爵·sec·
donofthemierobridge，theoreticalanalysisisconductedonthemierobridgedeflection．From theleastsquarefittingprocess，theelastic
modulusisevaluatedtobe314．0GPa±29．2GPa．whiletheresidual811@88andthebenaings~ ngthare265．0NPa±34．1NPaand6．
9GPa±1．1GPa，respectively．TheelTOranalysisofthemierobridgemethodshowsthatthesubstratedeformation。thelengthandthick．
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