氨化Ga2O3Nb薄膜制备GaN纳米线.pdfVIP

助 能 财 料 2008年第1期(39)卷 氨化Ga203／Nb薄膜制备GaN纳米线。 李保理，庄惠照，薛成山，张士英 (山东师范大学半导体研究所，山东济南250014) 摘 要： 采用射频磁控溅射技术先在硅衬底上制备 验前，先将Si(111)衬底依次用去离子水、丙酮、异丙基 Ga203／Nb薄膜，然后在900℃时于流动的氨气中进乙醇进行超声清洗。第一步，先采用JCK一500A型直 行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射(XRD)、傅 立叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、 透射电子显微镜(TEM)详细分析了GaN纳米线的结 构和形貌。结果表明：采用此方法得到的GaN纳米线 为六方纤锌矿结构，其纳米线的直径大约在50～ Ga。O。烧结靶，靶基距为80mm，系统的背景真空度为 lOOnm之间，纳米线的长约几个微米。室温下以 325nm波长的光激发样品表面，只显示出一个位于2Pa。室温下溅射时，射频功率为150W。第二步，将 364．4nm的很强的紫外发光峰。最后，简单讨论了溅射好的Ga。O。／Nb薄膜样品放人管式炉的恒温区， GaN纳米线的生长机制。 在高纯的流动氨气中进行氨化反应。待温度达到 关键词：GaN纳米线；磁控溅射；氨化 900℃后，将置于石英舟上的样品放入管式炉的恒温区 中图分类号：TN304．23 文献标识码：A 文章编号：1001-9731(2008)01-0054—03管式炉中的空气；然后通氨气，流量为500ml／min，反 1 引 言 于赶走管式炉中的氨气。最后取出样品冷却后进行测 GaN是一种十分优异的宽禁带半导体材料，室温 量。 下禁带宽度为3．39eV，具有高的发光效率、高的电子 用X射线衍射仪(XRD，RigakuD／max-rB， 漂移饱和速度、高的热导率、耐高温和抗辐射等特点， CuK口)和傅立叶红外吸收谱(FTIR，Tensor27)对样 被广泛地用来制作各种高亮度蓝、绿光发光二极管、蓝 品的结构进行了分析。样品的表面形貌用扫描电子显 色激光器和紫外探测器，同时又适于制作抗辐射、高 微镜(SEM，Hitachi 频、高温和高密度集成的电子器件[1q]。近年来，由于Hitachi H一800)进行观察。采用荧光分光光度计在室 在介观物理和新颖纳米器件制备方面的潜在应用价 温下测量了样品的光致发光(PL)光谱。 值，以及在与发展新型电子器件和研究量子限制效应 3结果与讨论 等方面的优势[4]，一维GaN纳米材料的制备与研究引 起了人们的广泛关注。自从1997年韩伟强等人首次 利用碳纳米管作为模板诱导生长出了GaN纳米棒[5]，衍射(XRD)图谱。 许多人致力于发展各种制备一维GaN纳米材料的技 术。目前制备一维GaN纳米材料的方法有以下几种： 模板限制反应生长[61，金属催化反应生长[7]，氧化物辅 助生长‘83和直接反应生长‘91、弧光放电法[10]、升华 法[113和高温分解法D幻。虽然已经有报道可以利用以 上各种方法制出纯度较高、产率较大的GaN纳米线， 但对用Nb做催化剂制备GaN纳米线的研究在国内 外却未见报道。本文首次用Nb做催化剂在Si(111) 图1 GaN纳米线的X射线衍射(XRD)图谱 衬底上成功合成了GaN纳米线。 1XRD ofthe GaNnanowires Fig patternsynthesized 2 实 验 GaN纳米线是采用两步法生长模式制备的。实 ·基金项目：国家自然科学基金资助项目(