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不同方块电阻对电性能的影响-实验报告.docVIP

不同方块电阻对电性能的影响-实验报告.doc

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不同方块电阻对电性能的影响-实验报告.doc

技术部 叶雄新 不同方块电阻对电性能的影响分析 众所周知,PN结是太阳能电池片的基础,对电池片的电性能起着决定性的作用。而方块电阻则是实际生产中检验PN结的一个重要参数,它能准确反映PN结结深以及掺杂 图1 图1为两种不同方块电阻的电池片的开路电压曲线。Uoc1和Uoc2分别对应方块电阻为R□1和R□2的电池片。 从图1可以看出,方块电阻为50~55时电池片的开路电压比方块电阻为40~45时大。具体原因将在后文中有所涉及。 3.2不同方块电阻对电池片短路电流的影响 图2 图2为两种不同方块电阻的电池片的短路电流曲线。Isc1和Isc2分别对应方块电阻为R□1和R□2的电池片。 从图1可以看出,方块电阻为50~55时电池片的短路电流比方块电阻为40~45时大。具体原因将在后文中有所涉及。 3.3不同方块电阻对电池片串联电阻的影响 图3 图3为两种不同方块电阻的电池片的串联电阻曲线。RS1和RS2分别对应方块电阻为R□1和R□2的电池片。 从图3可以看出,方块电阻大时,电池片总的串联电阻也随之增大。 3.4不同方块电阻对电池片并联电阻的影响 图4 图4为两种不同方块电阻的电池片的并联电阻曲线。RS1和RS2分别对应方块电阻为R□1和R□2的电池片。 从图4可以看出,方块电阻增大时,电池片的并联电阻将会稍微减小。 3.5不同方块电阻对电池片填充因子的影响 图5 图5为两种不同方块电阻的电池片的填充因子曲线。RS1和RS2分别对应方块电阻为R□1和R□2的电池片。 从图5可以看出,方块电阻大时,填充因子数值会稍有下降。 结论: 首先从光伏效应的原理说起 当P-N结受光照时,对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子。因P区产生的光生空穴,N区产生的光生电子属多子,都被势垒阻挡而不能过结。只有P区的光生电子和N区的光生空穴和结区的电子空穴对(少子)扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。光生电子被拉向N区,光生空穴被拉向P区,即电子空穴对被内建电场分离。这导致在N区边界附近有光生电子积累,在P区边界附近有光生空穴积累。它们产生一个与热平衡P-N结的内建电场方向相反的光生电场,其方向由P区指向N区。此电场使势垒降低,其减小量即光生电势差,P端正,N端负。于是有结电流由P区流向N区,其方向与光电流相反。 实际上,并非所产生的全部光生载流子都对光生电流有贡献。设N区中空穴在寿命τp的时间内扩散距离为Lp,P区中电子在寿命τn的时间内扩散距离为Ln。Ln+Lp=L远大于P-N结本身的宽度。故可以认为在结附近平均扩散距离L内所产生的光生载流子都对光电流有贡献。而产生的位置距离结区超过L的电子空穴对,在扩散过程中将全部复合掉,对P-N结光电效应无贡献。 可知,开路电压随着饱和电流IS的减小而呈对数增加。因此,当方块电阻大的时候开路电压也会随之有低幅度的增加。 而根据电池片串联电阻的表达式: 是正面扩散层的电阻, 其表达式是: 为扩散层方块电阻;L为电池主焊接电极方向尺寸;W为电池细栅线方向尺寸;m为细栅线条数 。 从以上公式可知,当方块电阻增大时,即增大,电池片的串联电阻也随之增大。同样,方块电阻小时,串联电阻减小。 填充因子主要受串联电阻和并联电阻影响,所以,当方块电阻大时,填充因子减小。 根据转化效率的公式:,当FF即填充因子和短路电流Isc和开路电压Voc任意一个增大时转化效率都将增大。而由上文可知,方块电阻大时,Isc和Uoc增大,FF减小,方块电阻减小时,Isc 和Uoc减小,FF增大,所以,针对同一材料,可以调出一个最优的方块电阻值,得到最恰当的转化效率。 本周完成的其他工作: 制定提交点检表; 工艺运行观测; PECVD镀膜后白斑片检测,分析。

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