偏压磁控溅射法在水冷柔性衬底上制备ITO透明导电膜.pdfVIP

第 49 卷 第 6 期 2000 年 6 月 物 　理 　学 　报 Vol. 49 ,No. 6 ,J une ,2000 ( ) 2000/ 49 06 / 119606 ACTA PHYSICA SIN ICA 2000 Chin. Phys. Soc. 偏压磁控溅射法在水冷柔性衬底上 制备 ITO 透明导电膜 杨志伟 　韩圣浩 　杨田林 　赵俊卿 　马 　瑾 　马洪磊 ( 山东大学光电材料与器件研究所,济南　250100) 程传福 ( 山东师范大学物理系,济南　250014) ( ) 1999 年 9 月 15 日收到;1999 年 10 月 15 日收到修改稿 　　通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底轰击 ,从而用射频磁控溅射法在水冷透明绦纶聚脂胶 - 4 Ω ( ) 片上制备出相对透过率为 80 %左右、最小电阻率为 63 ×10 cm 、附着良好的 ITO Indium Tin Oxide 透明导电 ( ) 膜. SnO2 最佳掺杂浓度为 7 5 % —10 % w. t. ,最佳氩分压为 0 5 —1 Pa. 当衬底负偏压为20 —40 V 时 ,晶粒平均尺 寸最大 ,制备出的薄膜的电阻率有最小值. 薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的 c 轴具有[ 222 ]方向的择优取向 , 随衬底负偏压的增大 ,沿[400 ]方向生长的晶相减少. 最佳衬底负偏压取值范围为 20 —40 V. PACC : 8115 G; 7360 ; 7865 ITO 薄膜 ,他们没有报道该薄膜在可见光范围内的 1 　引 言 透过率[12 ] ; Karasawa 和 Miyata 1993 年在未加热玻 璃衬底上用直流平面磁控溅射法制备了电阻率为 7 ( - 4 Ω 氧化物透明导电膜 Transparent Conductive ×10 cm , 可见光范围内平均透过率为 90 % 的 Oxide , TCO) 在电子学领域有着广泛的应用[1 ] ,如平 ITO 透明导电膜[13 ] ; Wu 等 1994 年在未加热的玻 面显示器[2 ,3 ] ,热反射镜[4 ] ,透明电磁屏蔽材料[5 ] , 璃衬底上制备出电阻率为 4 ×10 - 4 Ω cm ,可见光范 异质结太阳电池[6 ] 等等. 自Bkdeker 于 1907 年第 围内的平均透过率为 85 % 左右的 ITO 膜[14 ] ; 一个报道了 CdO 透明导电膜以来[7 ] ,大家对在硬质