模拟电子线路1.2 PN结.pptVIP

1.2 PN结 利用掺杂工艺，把P型半导体和N型半导体在原子级上紧密结合，P区与N区的交界面就形成了PN结。 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层(不能移动的正、负离子)，称为 PN 结。 P N PN结 　PN 结的形成 图 PN结的形成 （a） 多子的扩散运动; （b） PN结中的内电场与少子漂移 掺杂 N型 P型 PN结 1.2.1 动态平衡下的PN结 PN结形成的物理过程 耗尽层 空间电荷区 P N 1. 扩散运动 　　2. 扩散运动形成空间电荷区 　　电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。 —— PN 结，耗尽层。 P N 3. 空间电荷区产生内电场 P N 空间电荷区 内电场 　　空间电荷区正负离子之间电位差—— 电位壁垒； 　　4. 漂移运动 　　内电场有利于少子运动—漂移。 少子的运动与多子运动方向相反 阻挡层 内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。 5. 扩散与漂移的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大，扩散电流逐渐减小； 随着内电场的增强，漂移运动(电流)逐渐增加； 当扩散电流与漂移电流相等时，PN 结总的电流 空间电荷区的宽度约为几微米 ~ 几十微米； 等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。即扩散运动与 漂移运动达到动态平衡。 阻止多子扩散 出现内建电场 开始因浓度差 产生空间电荷区 引起多子扩散 利于少子漂移 最终达动态平衡 注意： PN结处于动态平衡时，扩散电流与漂移电流相抵消，通过PN结的电流为零。 注意：掺杂浓度（Na、Nd）越大，内建电位差 VB 越大，阻挡层宽度 l0 越小。 内建电位差： 阻挡层宽度： 室温时 锗管 VB ? 0.2 ~ 0.3V 硅管 VB ? 0.5 ~ 0.7V 1.2.2 PN结的伏安特性 PN结——单向导电特性 P+ N 内建电场E lo + - V PN结正偏 阻挡层变薄 内建电场减弱 多子扩散少子漂移 多子扩散形成较大的正向电流I PN结导通 I 电压V ? 电流I ?? 　　在 PN 结加上一个很小的正向电压，即可得到较大的正向电流，为防止电流过大，可接入电阻 R。 PN结——单向导电特性 P+ N 内建电场E lo - + V PN结反偏 阻挡层变宽 内建电场增强 少子漂移多子扩散 少子漂移形成微小的反向电流IR PN结截止 IR IR与V 近似无关。 温度T ? 电流IR?? 结论：PN结具有单方向导电特性。 PN结——伏安特性方程式 PN结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述： 热电压 ? 26mV（室温） 其中： IS为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但受对温度十分敏感，随着温度升高， IS 将急剧增大。 正偏时： 反偏时： PN结——伏安特性曲线 ID(mA) V(V) VD(on) -IS Si Ge VD(on)= 0.7V IS=(10-9~10-16)A 硅PN结 VD(on)= 0.25V 锗PN结 IS=(10-6~10-8)A V VD(on)时 随着V ? 正向R很小 I ?? PN结导通； V VD(on)时 IR很小(IR? -IS) 反向R很大 PN结截止。 温度每升高10℃，IS约增加一倍。 温度每升高1℃， VD(on)约减小2.5mV。 |V反|?=V(BR)时， ? IR急剧??? ， ? PN结反向击穿。 1.2.3 PN结的击穿特性 雪崩击穿 齐纳击穿 PN结掺杂浓度较低 (lo较宽) 发生条件 外加反向电压较大(6V) 形成原因: 碰撞电离。 V(BR) ID(mA) V(V) 形成原因: 场致激发。 发生条件 PN结掺杂浓度较高 (lo较窄) 外加反向电压较小(6V) 因为T? ? 载流子运动的平均自由路程? ?V(BR)?。 击穿电压的温度特性 雪崩击穿电压具有正温度系数。 齐纳击穿电压具有负温度系数。 因为T? ? 价电子获得的能量? ?V(BR)?。 稳压二极管 VZ ID(mA) V(V) IZmin IZmax + - VZ 利用PN结的反向击穿特性，可制成稳压二极管。 要求：Izmin Iz Izmax 1.2.4 PN结的电容特性 势垒区内空间电荷量随外加电压变化产生的电容效应。 势垒电容CT (a) PN 结加正向电压 （b) PN 结加反向电压 - N 空间 电荷区 P V R I + U N 空间 电荷区 P R I + - U V CT(0) CT V 0 　　空间电荷