射频磁控溅射法制备SnO_2_Sb透明导电薄膜光电性能的研究.pdfVIP

第20 卷 第5 期 液 晶 与 显 示 Vol20, No5 2005 年 10 月 Chinese Journal of Liquid Cryst als and Displays Oct. , 2005 : 100 2 80(2005) 射频磁控溅射法制备SnO2Sb 透明导 电薄膜的光电性能研究 陈甲林, 赵青南, 张 君 ( 武汉理工大学 材料科学与工程学院硅酸盐材料工程教育部重点实验 , 湖北 武汉 4300 0, Email: jlchen01@ 126. com) : 采用射频磁控溅射法在载波片玻璃衬底上制备了锑掺杂二氧化锡( SnO Sb) 透明 2 导电薄膜。利用霍耳效应实验、紫外可见光光谱仪、n( 折射率) k( 消光系数) d( 薄膜厚度) 光 谱仪对该导电薄膜的光电性能进行了测试。讨论了氧气分压对样品光电性能的影响, 增加氧 气分压, 薄膜的厚度减小、吸收边和截止波长蓝移, 光学带隙增大, 并且氧气分压对薄膜电阻 率、载流子浓度和霍耳迁移率的影响不是线性的, 而是存在一个最佳值。当氧气分压为0. 10 Pa 时, 薄膜的光电性能最佳, 此时膜厚为 399 nm, 可见光平均透过率为 0 % , 电阻率为 2. 5 - 3 21 - 3 2 - 1 - 1 10 cm, 载流子浓度为1. 2 10 cm , 载流子霍耳迁移率为2.04 cm V s , 其 光电特性已达到了T FTLCD 透明电极的要求。 : 射频磁控溅射; 透明导电薄膜; 光电性能; 氧气分压 : O484. 4 :A [ 1] 级 , 属于n 型半导体。五价离子掺杂能够大大 1 引 言 改善薄膜的导电性能, 另一方面, 其本征吸收边缘 透明导电薄膜是简单液晶显示器的三大主要 位于 = 345 nm, 决定其 90 % 的紫外吸收, 及 材料之一, 随着LCD 产业的发展, 市场对透明导 90 % 的可见光透过率。随着近年来薄膜技术的 电膜的需求也随之急剧增大。光电显示器件所发 飞速发展, 掺杂 SnO2 透明导电薄膜在透明电 射的电磁波或多或少地危害着操作人员及旁观者 [ 2] [ 3] [ 4] [ 5] 极 、红外探测器 、太阳能电池 、LED 、SPM 的健康, 显示器的 X 射线是危害人身的主要方 [ 6] 探针 等方面得到了广泛的应用。制备二氧化锡 面。迄今为止, 优质显示器也只是低辐射显示 薄膜的方法很多, 主要有化学气相沉积法 器。兼顾效果和成本, 在光电器件中, 目前有效的 [ ] [ 8] [ 9, 10] ( CVD) 、热喷涂法 、磁控溅射法 、溶胶凝 防电磁波辐射的手段是选用透明导电导磁的电磁 [ 11]