Al-Si界面失效的分子动力动力学模拟.pdfVIP

Al-Si界面失效的分子动力动力学模拟 李美之 魏悦广 （中国科学院力学研究所非线性力学国家重点实验室 北京 100190） 摘要 应用分子动力学方法模拟了 Al-Si 双材料界面的失效。文中考察了平行于界面方向为(110) ，垂直于 界面方向取不同的晶向的一组界面，在表层原子施加位移荷载驱动界面分离。并得到应力应变曲线，文中 对 Al 采用了嵌入原子(EAM)势，对 Si 采用 Stillinger-Weber(SW)势，界面相互作用采用了 Morse 势。通过 对这组界面加载的过程的观察，发现界面失效强度与界面晶向有很大关系，以及与之对应的界面分离的三 种形式。 关键词：分子动力学模拟，双材料，界面失效，Al-Si 一、 引言 研究双材料界面体系的脱粘和失效特性，对工程材料力学响应的建模有很重要的指导意义。 Gall[1] 研究了 Al(100)/Si(100)界面的结构，以及应力集中引起的界面上的能量起伏，还研究了金属 中的孔洞对分离强度的削弱作用。Kitamura[2]对薄膜边界附近应力集中引起的脱层进行了分子动力 学模拟，总结了脱层裂纹扩展的临界条件，并与有限元的结果进行了比较。本文将对多种取向的 Al/Si 界面进行研究，研究界面失效的模式。 二、 模拟方法 本文考虑铝(Al)和硅(Si)组成的双材料体系。Al 采用嵌入原子势，嵌入原子势被广泛地应用到金 属的分子动力学模拟中。Si 采用 SW 势，SW 势是对半导体 Si 原子进行分子动力学模拟常用的势。 −2α (r − r ) −α ( r − r ) Φ (r ) D[e ij 0 =− 2e ij 0 ] ，相互 界面附近两种原子之间的相互作用采用经典的 Morse 势来描述： ij 作用势能参数D 、α 、r 与单质材料是不同的。为了在不同种材料中引入弱结合的界面，采用复合 0 法则[2-3] 由两种材料得到界面势参数 D D D /10 α (α + α ) / 2 r λ λ =+ ln 2 / α 1− 2 1 2 1− 2 1 2 0(1− 2) 1 2 1− 2 其中λ r =− ln 2 / α 。 i 0(i ) i 模型的几何结构为平板结构。为了模拟不同界面的情况，考虑了一组双材料界面，都有平行于 界面方向的(110)晶向（设为 z 方向）。在 z 方向上应用周期性边界条件，由于晶格常数不匹配（Al 为 4.05 Å ，Si 为 5.43 Å ），为了让晶格失配尽量小，模型在(110)方向的厚度为 11.45Å，此时的失配 应变是 0.55% 。在平行于界面的 x 方向上也应用周期性边界条件，为了使 x 方向上的失配应变尽量 小，x 方向上的长度必须与界面晶向的取向有关。 初始构型由完美晶格建立，然后结构进行退火，15ps 内温度升高到 600K，持续 10ps 后再将温 度下降到 300K，得到用于加载的构型。加载沿y 方向位移加载。加载过程中将底端固定，每次给其 他原子沿 y 方向位移，使整个体系的应变增大。 系统的应力为 Virial 表达式[4]，用完美晶体中原子的体积去除。整体的荷载为整个体系的体积 去除全部原子的 Virial 力之和。 三、 分析结果 对 6 种不同的界面，我们分别计算出应力应变