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错.:掌屯叔 第52卷第10期2007年5月 ·陕讯
有机分子器件输运性质的接触距离效应
张振华①②+ 杨中芹②+ 袁剑辉①邱明①
(①长沙理工大学物理与电子科学学院,长沙410076,②复旦大学表面物理国家重点实验室,上海200433
}联系人,E-mail:cscuzzh@163.corn,zyang@fudan.edu.cn)
摘要在两金电极间置于空间对称的苯硫(PDT)分子构成一分子器件模型,并通过移动其中一电极变对
称接触为非对称接触.利用第一原理方法研究了该器件的输运性质,结果表明,器件的“G).V特性相对
偏压极性有显著的非对称,其电流及电导的大小明显地依赖于分子与电极的接触距离,即非对称接触
能导致器件伏安特性的弱整流效应.分析表明最高占据分子轨道(HOMO)是器件的共振隧穿轨道,偏压
作用使器件充电进而移动HOMO是“G)一V非对称性的内在原因.
关键词 分子器件 非对称接触 伏安特性 态密度
单分子器件的研究旨在实现电子器件的最终小 身的限制、或是由于有意的操作而导致的可能情形;
型化,目前正引起人们越来越多的关注【l曲].弄清分 当然,其他情况如机械撞击、热起伏、器件制备等也
子器件输运性质是发展“自下而上”分子技术的关键 有可能导致分子.电极间距的随机改变,进而修改器
步骤.理论和实验研究已表明:分子器件的输运性质 件的输运性质使其伏安特性不稳定.
是由分子本征特性及分子一电极界面特性共同决定 图I为我们研究所用的分子器件模型,它由两个
的【_卜10】.分子本征性质取决于构成元素及空问构型,
而界面也许更为复杂,它涉及界面原子的化学性质
和几何构型等.弄清决定界面性质的主导因素对于 度取决于S.Au键长.所谓对称接触是指左、右两个
设计出具有所期望输运性质的分子器件是非常必要 接头的S。Au键长完全相同.如果在其中一个接头处
的.但至今,许多界面性质仍需探究. 拉伸S-Au键则导致非对称接触.这里,我们考虑两
本文中,我们利用第一原理方法研究了器件界 种非对称接触,即在右接头处拉伸S.Au键使之伸长
面的几何结构效应,即探讨分子对电极的非对称接 量分别为ALl=1.5a.u.(原子单位,称为非对称模型1)
触对单分子器件电子输运性质的决定性影响.这一 和AL2=3.5a.u.(称为非对称模型2).图1所加的偏压
规定为正偏压,反之则称为反向偏压或负偏压.
考虑旨在模拟利用机械可控断结(breakjunction)技术
或STM技术去测量分子电特性时,或是由于设备本 我们计算使用的理论方法是完全自洽的、没有任
图1 分子器件示意图
由两个Au电极和置于其间的空间对称的苯硫(PDT)分子所构成,通过移动右电极拉伸s.Au键形成非对称接触
2007.01.25收稿,2007—04.16接受
博士论文基金(批准号:200526)和湖南省教育厅优秀青年基金(批准号:058023)资助项目
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万方数据
·陕讯
何经验调节的基于密度泛函理论的第一原理方法, 她的增加,“G).V特性偏离对称接触的情况愈明显.
其细节在许多文献【1肌2伽中均有描述.这里我们仅对 此外,还有两个明显的特征:(i)对于非对称模型,
其做一简单概述.在稳态中通过迭代求解Lippmann.在较低的负偏压时开启较大的电流,因此负偏压区
Schwinger方程直至自洽flll到,最后得到整个系统的比正偏压区有较大的电流及电导;(ii)随着△£的增
单电子波函数.该方程对每一散射能可写为 加,电导的峰值位置移向较低的负偏压值,因此
I妒=I少o+GoⅥy,(1) 足G).V特性的非对称性更明显.
其中,Go和I
Po是无散射势Ⅵ只有裸金属电极)时的 上述“G)。V特性源于不同极性偏压下分子器件
格林函数及系统波函数,y比按l/r方式更快地趋于 的非对称共振,这一点可从总态密度(TDOS
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