硅基射频螺旋电感在片测试和剥离方法.docVIP

硅基射频螺旋电感的在片测试和剥离方法* 石新明 唐祯安 邹 娟 (大连理工大学电信学院电子系, 大连 116023) 摘 要: 使用无锡上华 0.5 ?m(DPTM)标准CMOS工艺制备了螺旋电感芯片, 利用矢量网络分析仪和探针台搭建了硅基螺旋电感测试装置, 对该硅基螺旋电感进行了测试。采用两种去除电路寄生参数的剥离方法, 分析了高频条件下各种测试寄生参量的影响。建立了基于0.5 ?m(DPTM)标准CMOS工艺在片螺旋电感的寄生参量单?等效电路模型, 详细列出了在片螺旋电感测试和寄生参数的剥离步骤, 测试结果在0.1~8.5 GHz范围内与三维电磁场(HFSS)仿真结果有很好的一致性, 验证了此方法在片上螺旋电感测试中的有效可行性。 关键词: 在片螺旋电感；电路模型；在片测试法；剥离 中图分类号: TN3　　　文献标识码: A　　　国家标准学科分类代码: 140.4030 Measurement and de-embedding of on-chip spiral inductors on Si substrates Shi Xinming Tang Zhen’an Zou Juan (The Electronical Department of Dalian University of Technology, Dalian 116023) Abstract: The spiral inductor is made by the CSMC 0.5 ?m DPTM standard CMOS technology and measured by vector network analyzer and probe platform. Put the measurements used in RF and MW into the on-chip spiral inductors. Analyzed the effect of parasitical parameter for the measurement at high frequency and measured the on-chip spiral inductors by that. Parasitical parameters circuit models for the measurement of on-chip spiral inductors by standard 0.5 ?m (DPTM) CMOS technology is also developed. The methods of measurements and parasitical parameters of de-embedding are discussed clearly. According to the results, the measurements show excellent agreement with the results of the electromagnetic solver(HFSS) over a frequency from 0.1 GHz to 8.5 GHz,so it’s a good measurement at high frequency. Keywords: on-chip inductor; circuit model; on wafer measurement; de-embedding 1 引 言 硅基片上螺旋电感是构成放大器、混频器、振荡器等RF电路中的关键元件, 其在高频条件下的精确测试是硅基射频电路设计的前提。 片上螺旋电感量值一般都是nH数量级, 为了进行在片精确测试, 消除螺旋电感所带来寄生参量的影响, 采用了Agilent-(E5071C) 0.1~8.5 GHz矢量网络分析仪和探针台搭建测试装置, 进行了硅基螺旋电感的在片测试, 详细分析了各种高频测试寄生参量的影响, 建立了硅基在片螺旋电感测试结构单?寄生参量等效电路模型。 为精确测试在片螺旋电感性能参数, 消除器件间的串扰和高频条件下同轴线、仪器、探针和电感结构等带来的寄生参量影响, 电感设计采用GSG (ground-signal-ground)共面波导结构来降低串扰影响, 将射频电路与微波电路系统中去除电路寄生参量效应的2种剥离方法应用到了在片螺旋电感测试中, 详细列出了利用这2种不同的剥离方法进行了螺旋电感的在片测试的具体步骤, 并将这两种方法的测试结果与三维电磁场仿真软件(HFSS)建模仿真结果相比具有很好的一致性, 验证了这两种剥离方法的有效可行性。 2 在片测试螺旋电感芯片制备 使用无锡上华 0.5 ?m (DPTM)标准CMOS工艺流片,