纳米硅薄膜镜反射红外光谱研究.docVIP

纳米硅薄膜的镜反射红外光谱研究 赵涛 张毅 陈英颖 上海宝钢股份有限公司 分析测试中心 ,上海 201900 吴则嘉 刘晓晗 杨晟远 张林春 上海维安新材料研究中心有限公司 ，上海201900 摘要:研究探讨了镜反射红外光谱在纳米材料方面的应用。通过等离子化学气相沉积法（PECVD），制备本征和掺磷的纳米硅薄膜(nc-Si:H)，利用镜反射红外光谱研究了本征和掺磷的纳米硅薄膜的光谱特征，通过实验发现这两种薄膜中都存在多氢键合方式，PECVD工艺参数如衬底温度、直流电压、化工等领域的有机物质的官能团结构分析。样品制备方面，一般以液体、粉末和气体为主，对于某些特殊样品 下面是VeeMaxⅡ可变角镜反射附件的光路图[5]。 图1 VeeMaxⅡ的光路图 Fig.1 VeeMaxⅡ Optical Diagram 1.2.2原理: 当入射光照射到样品表面上时，入射光中的偏振光P组分在界面上产生一个与样品表面垂直的电场，当电场矢量与分子偶极矩平行时发生相互作用，产生红外吸收现象，获得样品的反射吸收光谱. 在反射吸收光谱中，红外光在样品层的光程L与样品膜层厚度D及入射角α有如下关系[3]： 从公式可以看出，当增大入射光的入射角时，光在样品层的光程L将增加；因此与透射谱比较，反射谱测量时增加了光程，这是反射技术具有高信噪比和灵敏度的原因之一[3]。 2 实验结果 2.1本征薄膜和掺磷薄膜的比较 在衬底温度、射频功率、极板电压、直流偏压、生长时间相同的条件下，制作本征薄膜（编号为030709）和掺磷薄膜（编号为030704）。由镜反射红外光谱图1可以看出，本征薄膜在2132cm-1、2254 cm-1处有Si:H2，Si:H3的伸缩振动吸收峰，860 cm-1处Si:H2的弯曲振动吸收峰较明显；掺磷后的薄膜在2132cm-1、2254 cm-1处的SiH2，SiH3伸缩振动吸收峰消失，860 cm-1的吸收峰向908 cm-1处移动。 图2 相同条件的本征薄膜和掺磷薄膜镜反射红外光谱图 Fig.2 FTIR of intrinsic and P-doped silicon films 2.2衬底温度对本征薄膜的影响 在硅烷气体流量固定在18sccm（SiH4/SiH4+H2=1.8%），射频功率、直流偏压相同，衬底温度分别为200℃、250℃、300℃条件下，制备本征样品030714（200℃）、030711(250℃)、030716（300℃）。镜反射红外光谱图见图2。从光谱图中看出：当衬底温度由250℃上升到300℃时，Si:H2，Si:H3的2250 cm-1伸缩振动吸收峰的强度逐渐减弱，Si:H2的980 cm-1、860 cm-1的弯曲振动峰逐渐增强。 图3不同衬底温度底本征纳米硅的镜反射光谱图 Fig.3 intrinsic films FTIR of different substrate temperature 2.3衬底温度对掺P薄膜的影响 在掺杂磷烷气体流量固定在0.7sccm(PH3/SiH4=0.87%)、射频功率、直流偏压相同，衬底温度分别为150℃、200℃、300℃条件下，在单晶硅上进行磷烷掺杂，制备了编号为030423(150℃)、030422(200℃)和030430(300℃)的样品。图3为一组不同衬底温度的掺杂纳米硅薄膜的镜反射红外光谱图。 由图3可知,掺杂样品与本征样品的红外谱图相似，均有Si-H的吸收峰。当衬底温度从150℃上升到250℃时, 2100 cm-1、2200 cm-1的SiH2、SiH3伸张振动峰逐渐减弱，在850cm-1左右的SiH2越来越弱，SiH健的630-640cm-1摇摆峰也逐渐减弱。不同的是在500cm-1左右出现明显的P-H2峰；在030423样品上观察到Si-O(1100 cm-1)峰。 图4 不同衬底温度的掺磷纳米硅薄膜的镜反射红外光谱图 Fig.4 P-doped films FTIR of different substrate temperature 2.4掺杂浓度的影响 在衬底温度、射频功率、直流偏压等相同的条件下，以不同气体流量的磷烷进行掺杂，PH3/SiH4分别为0、0.43％、0.87％，制备了编号为030714（200℃）、030425（200℃）和030422（200℃）及030426（150℃）和030423（150℃）两组样品。 图5 不同掺杂浓度的样品的红外吸收光谱 图6 不同掺杂浓度的样品的红外吸收光谱 Fig.5 FTIR of different doped concentration films Fig.6 FTIR of diffe