a—C：H薄膜电子结构及光电特性研究.pdfVIP

维普资讯 第 18卷 期 半 导 体 杂 志 1892年 l1月 TN D O b a—C：H薄膜的电子结构及 光电特性的研究 L／ i 、 阎宝杰 孙钟林 徐温元 ． 了 (南并 电子薄膜器件与技术研究所) J．Ristem andL．Ley (Tn虹tucfI】r ncb ~ yaikUrdvcrsRat。fE山岫自雠一N啪 g．Ge．~my) 摘 要 利用射频辉光等离子体 cVD沉积制备不同特性的a-C：H薄膜，研究了不同直流偏压对 所沉积的薄膜性质的影响．通过测量x光电子谱 (XPS)、红外吸收谱 (IR)、光致发光等手段 研究了不同工艺条件下制备的a-CtH薄膜的结构及发光特性。结果表明t在阳极和阴极低偏 压下制备的样品具有类有机的特性，含有大量的CHz和cH，结构I在阴极上适当的偏压下沉积 的样 品具有类金刚石结构。c 和CH，的含量随偏压的增加而降低，并且娄石墨相随偏压而增 加。光致发光在可见区都有发光。激发光为 220nm (5．64cV)时发光光谱在能量为 2．9BeY、 2．63eV、2．39eV、2．23eV和 2．06eV处有明显的精细结构。随着激发光能量的下降低能区的精 细结构消失．对实验结果进行了分析 关键词 ，a—c H薄膜、x光 电子谱、虹外吸收、电致发光。， 0，左 襄I龟，气芒帮) 一 、 引 言 a—CtH薄膜材料的性质强烈地依赖于制备工艺。由于碳的内层 电子只有 1s态．而外 层的 2p态上的 4个 电子可 以进行不同的杂化 ．从而使 a—C，H 网络中存在 同索异形结 构，即类金刚石结构 (r,p3组态)和类石墨结构 (sp2组态)。通过优化工艺条件可制备出 具有硬度高、透光性好、电绝缘性好和耐腐蚀等特点的a-CtH薄膜材料 。这种材料在机 械、光学、电子器件等方面具有广瑟的应用前景。因而在近几年吸引了世界许多研究机构 投入这方面的研究[ 。最近人们还发现 a—C-H具有可见光区的光致发光和 电致发光的 特点，并且发光强度高，闭值 电压低 。利用这一特点可以制成不同颜色的发光器件 ～．在 大面积显示 、信息处理和光电藕合等新技术领域有广泛的应用前景川． 由等离子体CVD沉积的a—C。H薄膜的物理化学性质强烈地依赖于样品制备时的直 流偏压情况。对于由CH．分解沉积的薄膜在偏压低于 】OOV时表现出类有机的特性 I在偏 压为 200V时．薄膜的金刚石成份最多；而当偏压高于 250V并逐渐增加时 ，类石墨成份不 断增加 ，薄膜 由硬变软眦。由苯 (cH‘)分解制备的样品也有类似的特性 ，只是转变电压 不 同 。]。 · 6 · 维普资讯 弟 l8卷 期 半 导 体 杂 志 1992年 l