MEMS开关辐照实验的研究.pdfVIP

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2017-08-30 发布于安徽
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MEMS开关辐照实验的研究.pdf

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$%$ 器件与技术 !!# $%’(% ) *%(+,-.-/0 !!# 开关辐照实验研究邹学锋，顾卫东（信息产业部电子第十三研究所，河北石家庄 !!!#）摘要：进行了$%$ 开关的辐照试验，并对结果进行了分析。所述的$%$ 开关采用单晶硅悬臂梁结构实现金属电极接触，工作电压小于! ’ ，最大工作频率大于 #! ()* 。进行了中子辐照和辐照实验，其中中子注量为 #. 2+ ，总剂量为（）。并通过对开关 ! +,-./#! 01 ! ! (345 6 $%$ 辐照前后性能的测试，获得了辐照对$%$ 开关性能影响的实验数据。结果表明，在辐照剂量大于（）时开关性能有明显变化。借鉴国外的相关研究成果，对器件的 #! (345 6 $%$ $%$ 辐照失效机理进行了初步分析。关键词：；开关；中子辐照；射线辐照 $%$ ! 中图分类号：文献标识码：文章编号：（） 8’7!7 9 !: !+;: 77 +=!+; !#$% ’ ()$*)*’ +,-+(*.+’ / 010! 23*45 ?@ AB(+C(.D ，E@ F(6+5-.D （，，） !# !=$ %#’$()*+’ ,#-#.(’ /*-$+$0$# 1+2 +.3 0.*4 GG! 5+*. 672()4 ：34564)6-. (HI(*6J(.) -C #$ ,K6)LM 6, 4.4NOP(5 6. )M6, I4I(* Q8M( #$ ,K6)LM 6.+ R-NR(5 6. )M( I4I(* 6, 4 S6.5 -C R(*)6L4N ,K6)LM K6)M ,6.DN( L*O,)4N L4.)6N(R(* 4.5 J()4N+J()4N L-.+ )4L) (N(L)*-5(, Q8M( -I(*4)6.D R-N)4D( -C )M( ,K6)LM 6, N(,, )M4. G T 4.5 )M( -I(*4)6.D C*(UB(.LO 6, BI )- !SVP Q34564)6-. (HI(*6J(.), 6.LNB5( .(B)*-. *4564)6-. K6)M )M( 5-,( -C 7W=X!!= LJY7 4.5 ! （） *4564)6-. K6)M )M( 5-,( -C G S*45 $6 Q8M( ,K6)LM 6, )(,)(5 Z(C-*( 4.5 4C)(* *4564)6-. 4.5 J46. I(*C-*J4.L( N6S( IBNN+6. R-N)4D( ，,K6)LM6.D 5(N4O 6, *(L-*5(5 Q[6.4NNO ，6) 6, 5(J-.,)*4)(5 )M4) )M( I(*C-*J4.L( -C )M( ,K6)LM LM4.D(, ,6D.6C6L4.)NO KM(. )M( *4564)6-. 5-,( (HL((5 ! S*45 （）