MOCVD生长GaN表面形貌及缺陷的研究.pdfVIP

华南师范太学学报(自然科学版) SOUⅢC}IlN^NORMALUHWERs丁rY 2∞4年第2期 2004年5月 JOL．I州AI．OF Mav2004 (NATu}lAls(二IENcEEDl兀0N) №．2．2004 文章编号：1000—5463(2004)02一0063—04 MOCVD生长GaN的表面形貌及缺陷研究 李述体t，江风益2，范广涵1，王立2，莫春兰2，方文卿2 (1华南帅范大学光电子材料与技术研究所．广东广州5l001；2．南昌大学材料科学研究所，江西南昌33删7) 摘要：采用自制MocvD和‰哪孵sw舯M0c、∞以她q为衬底对G“生长进行了研究．利用光学显 微镜获得了caN外延膜衷面形貌随si、Mg掺杂量不同的变化规律以及表面缺陷等信息研究表明． 随掺si量增大．caN外延膜的表面变粗糙，结晶品质F降．在电子浓度达2×10”cm一3以上时．caN 外延膜表面出现龟裂对G“进行Mg掺杂，外延膜表面出现岛状突起，且随Mg掺杂量增大，岛状 突起数目增多，观察到了M()cvD生长的(；aN的六角状岛、龟裂、条状缺焰等典型缺陷． 关键词：GaN；MOcvD；光学显微镜；表面形貌；缺陷 中图分类号：邢04．2+3 文献标识码：A 1l【EMORPHOLOGYANDDE聊瞰了I_soFGANGR0wNBYM【0CVD usllu—t^J【ANG Fellg一妒，FAN hln蚰Ie0f M拙n出蚰d (I opt呻l劬帆ic 1k|IrId‘啊，‰由‘】…N叩T-al u㈣l玑Gu一删510631．chma 2．Insn恤te面Mmen由s Sci棚ce，Nan妇gUmvH目竹．N龃ch曲g330047，od吐) Absn甚ct：卟e ofGaNwas ah删ne眦珂eMOCvDa11da 1llorrlasSwaIl growtll pe而rnle(1by MOcVD 0fcaN w汕Sior on(0001)一ented蛆pphims．nen1明小olo盯v耐撕onlayers Mg tIlesurfacedefectsweres七Lldied c直N d叩ing龃d byoptical microscopemorp}10lo科became With山eincreaBe0fsi cmck8 t}1eca兀iercon· dose，and H的陀r叫醇111ess d叩i“g aFpe删“1en centmtion觏地hed的2x1019cm一．IslandsonGaN appeaIed su出cew汕theMgd叩irIg，明d “地an的untofislandsincreasedwit}lt11einc比ase0f de· suIfjce Mgdo