碲化镝和锑镝锌深低温光致发光的研究.pdfVIP

第 12卷 第 3期 半 导 体 学 报 V ．J2．№ ．3 l991年 3月 CHINESE JOURNAL OF SEM ICONDUCTORS ‘ M at． 。 1，9l 碲化镉和碲镉锌的深低温 光致发光研究 刘 昔 霖 ● (中国科学院红外物理国家实验室，上薄，2000S3) 张 素 英 ● (中国科学院上毒技术物理研究所，上海，200O83) W ．0SSaU (联邦德国威茨堡大孥物理研究薪) l990年 7月 日恒到 本文报道了甩热壁埠体法 ，布里奇曼法等多种工艺技术制备的 CdTe，ca,z~…Te单晶 体豺辩和薄膜材料在 1．SK深低温下光致发光的测量结果．从光致发光谱中识别出(D ，x)、 (D+，x)、(A。，x)、DAP等一系刊谱线．逐个分析了它们的物理起源，井由此进一步讨论了 晶体中的残留杂质、缺陷、结构完整性 、组份均匀性等与材料质量有 关的问题． 主题词 光致发光 ，CdT*，cdzn…Te，杂质 ，啦陷，组分不均匀性 一 、 引 言 II—VI族化台物半导体碲化镉 (CdTe)是制造太阳能电池、r一射线探测器 、光电调 制器等元器件的功能材料，现在又被广泛地用作重要红外材 料 Hg CdTe的外延 衬 底 ；碲锌镉 (ca一znTe)是近些年迅速发展起来的赝二元系混晶．作为外延衬雇，它 ． 可 以与各种组份的碲镉汞匹配并使晶格失配度降至箍低限度；叉 由于锌的存在使晶体的 结构完整性和机械强度都大大提高，因而有着十分g1人注 目的应用前景． 为生长 出高质量 、大面积的 CdTe、CdZaTe晶体或薄膜人们已发展了多种多样的工 ： 艺技术，而对这些材料的物理研究和检验通常却大都采用光致发光法．光致发光是一种 无损伤、非破坏性的测、量方法，对样品形状、厚度无特殊要求，更要紧的是避开了一般作电 流磁效应测量必不可少的制做欧姆电极的问题，而这一问题对这类宽能隙材料还是个 尚 未解决的难点；同时，研究光致发光谱，尤其是研究深低温下的光致发光谱，不仅可以认识 材料的一系列基本物理性质，还可 以获得许多与晶体质量有关的丰富信息． 本文第二章扼要介绍我们使用的几种晶体生长工艺和样品制备方法，及光致发光实 验装置 ；第三章给 出一些典型的测量结果和对各谱线的讽别 ；第四章从光致发光谱出发， 进一步讨论晶体的杂质 、缺陷、结构完整性、组份均匀性等问题． 3期 划普霖等：碲化镉和碲镉锌的深 氐『温光致发光研究 l，7 二、 实 验 在本工作使用的样品中，编号B一4、B-6和V-1的是分别用热壁熔体法和垂直闭管 无籽晶汽相输运工艺制备的 CdTe体材料，编号 LPE一1、LPE一2和 MBE一1是分别用 液相外延和分子束外延生长 的 CdTe单晶薄膜 ，CZT一2、CZT 5、CZT一7和 CZT—A、 ● CZT—B、CZT—C 分别是用 Bridgman法和移动加热器法 (THM)生长 的 Cd…ZnTe 体材料． 需要说明