用光探针法测量表面复合速率.docVIP

上海交通大学学报JOURNAL OF SHANGHAI JIAOTONG UNIVERSITY1999年　第33卷　第12期　Vol..33　No.12 1999 用光探针法测量表面复合速率 张　峰　葛万来　沈其英　吴雅美 摘　要：通过系统的研究分析，建立了应用光探针的光电(PC)测量方法，应用镜像法和点源产生近似原理建立了物理模型，并进行了系统的理论分析.导出了光电流与表面复合速率相应关系的计算公式，确定了可进行电量测量的实验装置.采用此方法，测量了台面型高压硅半导体器件的无机钝化和有机保护界面的表面复合速率.通过测量结果和计算结果的归一化比较，获得了其表面复合速率.关键词：光电测量；表面复合速率；台面型硅器件中图分类号：TM 930.1;TN 29　　　文献标识码：A Application of Light Spot Scanner Photo-Current Technique to Determination of Surface Recombination Velocity ZHANG Feng，　GE Wan-lai，　SHEN Qi-ying，　WU Ya-meiDept. of Information Control Eng., Shanghai Jiaotong Univ., Shanghai 200030, Chian Abstract： Based on the systematic study and analysis, alight spot scanner photo-current (PC) measurement technique was set up to measure the interface properties of silicon pn junction. Depending on the image method and point source approximation method, the physic model was established, and the formula of photo-current versus surface recombination velocity was obtained. Using this method, the interface characteristics of angle beveled mesa structure high-voltage silicon pn junction protected by organic materials or inorganic passivation films were measured. From the experiment results and the normalization results, the surface recombination velocities of silicon pn junction were obtained.Key words： photo-current measurement; surface recombination velocity; angle beveled mesa structure silicon pn junction 　　半导体表面的电学性质，在很大程度上受表面态、表面态同表面空间电荷区中自由载流子的相互作用的控制.有关界面态的研究，目前主要的研究方法有低频C-V特性法和准静态法，以及高频电导法等电学方法［1,2］.半导体的表面复合速率是一个反映半导体表面态重要物理量.近几十年来，由于光电技术的发展，电子束扫描技术(EBIC)广泛地应用于半导体表面探测［3～6］.但由于电子束的高能量及其对有机材料的影响，以及电子束EBIC方法的真空度要求，限制了其在一些情况的应用.　　本文通过系统的研究分析以后，建立了应用光探针的光电(PC)测量方法，可以测量硅半导体的无机钝化和有机保护界面的表面复合速率，并且将该方法直接用来测量台面型高压硅器件的参数，同时导出了相应的计算公式. 1　物理模型　　当光束照射半导体器件表面，发生了能量的损失和弹性碰撞，电子在该点沿所有的方向扩散，并通过非弹性碰撞损失了能量，产生空穴-电子对.由光束产生的空穴-电子对通过纯扩散从点源流动，那些在复合之前到达空间电荷层的被分离，载流子被收集，使外电路的电流增加.实验如图1所示. 图1　光电测量法的示意图Fig.1　Scheme of PC technique 　　在结垂直于表面的情况采用一个三维近似.xoy面是试样表面，oz是光束入射方向，光束扫描沿ox方向，结处于yoz面上.假设是突变PN结并且在此情况