正电子湮没谱和光致发光谱的研究掺锌GaSb质子辐照缺陷.pdfVIP

59 7 20 10 7 第 卷第 期 年 月 物 理 学 报 Vol . 59 ，No . 7 ，July ，20 10 1000 -3290 / 20 10 / 59 (07 )/5 116-06 ACTA PHYSICA SINICA 20 10 Chin . Phys. Soc . 正电子湮没谱和光致发光谱研究 * 掺锌GaSb 质子辐照缺陷 周 凯 李 辉 王 柱 ( ， 430072 ) 武汉大学物理科学与技术学院 武汉 (2009 10 17 ;2009 11 2 1 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 GaSb . 用正电子湮没谱和光致发光谱研究了质子辐照后掺锌 中的缺陷 通过分析正电子的缺陷寿命 τ2 及强度 I ， V V ， . 2 的变化发现 在高能质子的辐照下产生了双空位缺陷 Ga Sb 可能同时产生了小的空位团 正电子平均寿命 τ av 和 S . GaSb ， 参数随着质子辐照剂量的变化也证明了这一结论 通过分析不同质子辐照剂量下掺锌 的光致发光谱 发现 GaSb Zn . . 中的 没有与辐照缺陷相互关联 质子辐照在样品中产生了非辐射复合中心 这种非辐射复合中心很可能 . Zn GaSb . 是双空位和小空位团 利用光致发光谱推算了受主杂质 在 中的能级位置 在经过质子辐照后的样品中发 ， . ， 现了氢的存在 氢充当了浅受主杂质 通过退火实验观察到了样品中空位型缺陷的迁移合并和分解 发现氢原子加 强了缺陷的移动能力. : ，GaSb ， ， 关键词 缺陷 正电子湮没 光致发光谱 PACC :7870 B ，6 170 ，7855 E 括正电子湮没寿命谱、Doppler 展宽谱和角关联谱. 1. 引 言 在本文中使用了正电子湮没寿命谱和 Doppler 展宽 . 谱 从正电子的寿命谱中我们可以得到缺陷的种 (GaSb) ， 、