中子辐照GaAs沟道卢瑟福背散射的研究.pdfVIP

　第 19 卷第 9 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 19, . 9　 V o l N o 　1998 年 9 月　　　　　　CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S　　　　　　Sep. , 1998　 中子辐照GaA s 的沟道卢瑟福背散射研究 1 1 1 2 2 3 刘　键 　王佩璇 　柯　俊 　朱沛然 　扬　峰 　殷士端 ( 1 北京科技大学材料物理系　北京　100083) (2 中国科学院物理研究所　北京　100080) (3 中国科学院半导体研究所　北京　100083) 摘要　用沟道RBS 方法研究了中子辐照 GaA s 的缺陷在快速退火过程中的恢复行为. 结果表 14 17 2 明, 在 10 ～ 10 范围内离位原子浓度近似按辐照剂量量级的平方关系增长. 中子辐照效 cm 应对 没有影响. 经一定剂量辐照后, 退火温度越高, 退火时间越长, 离位原子的恢复效果越 12 明显. 1015 2 剂量辐照损伤的恢复激活能 0 35 , 可能对应空位与迁移而来的填隙原 cm E 1 eV 子的复合; 而 1017 2 剂量辐照损伤的恢复激活能 0 13 , 对应空位与其附近的填隙原 cm E 2 eV 子的复合. : 6180 , 8160 , 6180 PACC H C M 1　引言 材料具有比 、 更优越的性能, 如禁带宽度比 、 大, 极限工作温度可达 GaA s Ge Si Ge Si 450 ℃, 电子迁移率是Si 的6 倍, 可用于制作高频高速电子器件, 其抗辐照能力是 Si 的 10 倍 等等. 这些性质使得 GaA s 器件在航空航天和军事上的应用十分广泛. 但在这些领域中, GaA s 器件容易受到粒子辐照而失效. 中子辐照的研究对研制GaA s 的抗辐照器件具有指导 意义. 有关中子辐照 GaA s 的研究已有不少报道. 如 Ku riyam a 等人采用热激电流法(T SC ) 和 光致发光法( ) , 发现中子辐照可分解 原有缺陷, 并得到两种复合缺陷 和 PL GaA s GaA s V Ga . 400℃和 600 ℃退火对应于 和 的恢复. 我们曾用正电子湮没方法研究了中 A sGa V A s V Ga A sGa 子辐照 GaA s 产生的空位缺陷在快速退火过程中的恢复. 本文的目的是采用沟道背散射方 法, 研究辐照产生的离位原子缺陷在退火过程中的变化及回复. 刘　键　男, 1963 年出生, 博士研究生, 从事中子辐照 GaA s 研究 王佩璇　女, 1936 年出生, 教授, 从事材料物性、表面与界面、多层膜等方向的研究 收到,定稿