4H_SiC纳米薄膜微结构及光电性质的研究.pdfVIP

第 51 卷 第 2 期 2002 年 2 月 物 　理 　学 　报 Vol. 51 ,No. 2 ,February ,2002 ( ) 10003290200251 02 030406 ACTA PHYSICA SINICA 2002 Chin. Phys. Soc. 4 HSiC 纳米薄膜的微结构及其光电性质研究 ) ) ) ) ) ) ) ) 1 2 1 1 1 1 1 1 张洪涛 　徐重阳 　邹雪城 　王长安 　赵伯芳 　周雪梅 　曾祥斌 1) (华中科技大学电子科学与技术系 ,武汉 　430074) 2) (湖北工学院电气工程与计算机科学系 ,武汉 　430068) (2001 年 7 月 20 日收到 ;2001 年 10 月4 日收到修改稿) ( ) 　　采用新设计的电极结构的等离子体增强化学气相沉积 PECVD 技术 ,在高功率密度 、高氢稀释比、低温 、偏压 及低反应气压的条件下 ,在衬底表面形成双等离子流 ,增加了衬底表面 SiC 的成核概率 ,增强成核作用 ,形成纳米 晶. 采用高 H2 等离子体刻蚀弱的、扭曲的、非晶 Si —C 及 Si —Si 和 Si —H 等键时 , 由于 H 等离子体对纳米 SiC 晶粒 ( ) 与非晶态键的差异刻蚀作用 ,产生自组织生长 ,发生晶化. Raman 光谱和透射电子衍射 TEM 的测试结果表明 ,纳米 晶 SiC 是 4HSiC 多型结构. 电子显微照片表明平均粒径为 16nm ,形状为微柱体. 实验结果指出 ,SiC 纳米晶的形成必 须经过偏压预处理成核 ,并且其晶化存在一个功率密度阈值 ; 当低于这一功率密度阈值时 , 晶化消失 ; 当超过这一 阈值时 ,纳米晶含量随功率密度的提高而增加. 随着晶化作用的加强 , 电导率增加. 关键词 : 4HSiC , PECVD , 纳米结构 , 多型薄膜 , 纳米电子学 PACC : 6170C , 6856 , 6805 , 8120 , 0760F 报道. 1 　引 言 2 　实 验 随着纳米技术的飞速发展 ,纳米电子器件及量 子点激光器件迫切要求特殊结构的纳米薄膜. 宽带 PECVD 的新的电极反应腔结构有利于提高功 半导体纳米薄膜是科学界研究的重点 ,尤其是 SiC 率密度 ,产生偏压并形成双等离子流结构[1 ] , 因此 , 纳米薄膜 由于具有一系列特殊性质而受到广泛 在缩小电极表面积的同时 , 留出非对称等离子体侧 关注. 喷口形成等离子体双流结构. 如图 1 所示. SiC 具有 250 多种多型 ,不同的多型具有不同的 物理性质. SiC 中几个