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第 19 卷 第 1 期 液 晶 与 显 示 Vol . 19 ,No . 1
2004 年 2 月 Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays Feb . ,2004
文章编号 : (2004) 0 1004206
TF TL CD 周边驱动电路集成化设计
1 ,2 2 1 1 ,2 1 ,2
徐 杰 ,杨 虹 ,郭树旭 ,李英博 ,郜峰利
( 1. 吉林大学 电子科学与工程学院 ,吉林 长春 130023 , Email :xu-jie78 @sina . com ;
2 . 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 北方液晶工程研究开发中心 ,吉林 长春 13003 1)
( )
摘 要 :根据 N 沟道和 P 沟道多晶硅薄膜晶体管 polySi TFT 的特性 ,使用 Orcad 作为辅助工具 ,
( )
设计了应用于 132 R GB ×176 TF TL CD 的栅驱动电路和数据驱动电路 。依据 132 R GB ×176
TF TL CD 的参数对电路进行了模拟 ,实现了小尺寸液晶屏的 pSi TF T 周边集成驱动电路的
设计 。
关 键 词 : TF TL CD ;pSi TF T ;Orcad ;集成周边驱动电路
中图分类号 : TN27 ; TN453 文献标识码 : A
沟道和 P 沟道 pSi TF T 具有 良好的开关特性 ,
1 引 言 并且兼顾低功耗原则 ,我们采用的工作 电压为 :
N 沟道 pSi TF T 为 V ds = 10 V , V gs = 10 V ( 开
近年来液晶产品迅速发展起来 ,逐渐 占领了
) ( )
态 / V gs = 0 V 关态 ;P 沟道pSi TF T 为 V ds =
显示市场 ,关于液晶的各方面研究也越来越受关
( ) ( )
- 10 V , V gs = - 10 V 开态 / V gs = 0 V 关态 。
注 。其中多晶硅 TF TL CD 逐渐应用于移动显示
产品中 , 由于多晶硅 TF TL CD 具有薄 、轻巧 、高 3 周边集成驱动电路的设计
分辨率显示以及可将驱动电路集成于周边显示区
域等特点[ 1~4 ] ,可以预计它的应用将会进一步扩 由于pSi TF T 器件的特性与用于 L SI (大规
展 ,市场份额
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