半导体合金介电常数紧束缚计算.pdfVIP

苒l0卷 第 3期 固体电子学研究与进展 Voi．IO， No．3 1990 蔓8i RESEARCH ＆ PROGRES￡OF SSE Aug．， 19 90 半导体合金介电常数的紧束缚计算 橡 至 中 (复旦太学表面物理研究室) 1989年 1月 9 日收到 提 要 采用经验的紧束缚方法，在虚 晶近似下，计葬 了与lnP品格相互配的兰导 仁 舍 金 Gara PAs1．Ⅲ的介 电常数虚部。计算时同时考虑了动量矩阵元 的效应。 CalculationsofDielectric ConstantsofSemiconductor AlloysinTight-Binding Frame Xu Zhizhong (Sur／acePhysicsLaboratory，Fudan ’niuersi ) Abstract：U~{ngtheempiricaltight—bi~ding method．theimaginary partsofd{elec— tric conzta-ateof ~emiconductor alloys G~=lm PAl11． lattice～matched to InP have been calculated in virtual cry~taI approx~maton． The effects of ~flometltum matrix elementshavebeen con~idered in thecalculato~． 一 、 引 言 采用单电子能带理论，可很好地计算半导体及某些金属的介电常数，并由此计算这些材料 的光吸贬系数，光反射系数及折射事 “。而经验的紧束缚 法是一种简单，有效的能带计算 方法。但采用经验舶紧束缚方法计算晶体介电常数时 常遇到下面的困难：由于哈密顿矩障元 ● 的参数化，在经验的紧束缚方法中，通常并不知道作为表象基矢的原子轨道波函数的具体形 式，因而无法得到动量算符在该表象中游表式。这样，便无法直接计算晶体电子的动量矩阵 元，也就不能较精确地计算晶体的介 电常数 所 以，采用经验的紧束缚方法计算晶体的介电 ● 常数时 ，通常都近似地忽略动量矩阵元的影响，把它看成一个常数，也 即把联台状 态 密 度 (JDOS)近似地看成晶体的介电常数虚部 ￡(∞)。 我们刊用Wigner--Eekart定理导出了动量矩阵元在 以原子轨道波函数为基矢的表象中 的表示形式 对于Ⅲ一v族化台物半导体，该表式中包含有四个常参数。通过对这些常参数的调 节，可以使半导体的介电常数虚部 的理论计算值与实验值相符得更好，并由此决定这些常参数 的值。业已将这一表南具体应用于GaAs，InP及InAs三种化台物半导体，并得到了这兰种材 料的常参数值。然后，利用这些常参数值计算了与 InP的晶格相匹配的Ga In． As．，半 。国京自拣科学基盎赍聃项 日 272 固 体 电 予 学 研 究 与 进 展 l0卷 导体台金的介 电常数虚部 (。)。 二、理 论 方 法 采用单电子能带理论，半导体的介 电常数虚部 (D)可以表示成 ：