防护电压瞬变和浪涌半导体器件.pdfVIP

维普资讯 第 35卷 第4期 半 导 体 情 报 VoI．35．No．4 1998年 8月 SEM ICONDUCTOR INFORM ATION Aug．1998 防护电压瞬变和浪涌的半导体器件 … … 。 ㈦ ’ ’J摘要 介绍了电压瞬变和浪浦的台义、区剐和防护 ，以厦防护电压瞬变和浪浦的半导体 器件——瞬变电压抑制二极管 (TVs)和控制堆特 电流型硅防护浪涌器件 (cSsPD)的 特点、性 能厦应 用。 关麓词苎墨墼 旦芝器件 撵 ，jf 了 ，c Iqj ／ 电压瞬变和浪涌 眷蠹等喜 众所周知 ，在整机和系统中常常会遇到意 大量减少 ，电网的负载 由电感性变为电阻性 ，不 外的电压瞬变和浪涌 ，从而导致整机和系统的 再需要补偿，切断电容器时会出现电容性的电 损坏，损坏的原因是整机和系统中的半导体器 压瞬变。②静电放电、人体接触和存放MOS器 件 (包括二极臂、晶体臂、可控硅和集成电路 件塑料盒的振动都会产生大量的静电。◎棱爆 等)被烧毁或击穿。因此，对电压瞬变和浪涌 炸时会产生强大的电磁脉冲，它在导线中会引 的防护成为提高整机和系统可靠性的一个重要 起较高的感应电压 ④雷电是常见的自然现象， 组成部分。电压瞬变和浪涌都是属于异常工作 受雷 电破坏 的整机常常不是直接接受到雷击 ， 电压范畴，美 国ProtekAdvices公司副总裁 而是通过电统线问接接受到的。云层内放电和 RichardVonBarandy认为瞬变和浪涌有如下 云层问放 电比直接雷击高2O倍 ，它们放 电时产 三点区别”J： 生的电场是垂直辐射到地面上，范围很宽，这 1)持续时间，电压瞬变的持续时间比浪涌 时地面如同一块电容器的极板，脉冲通过电容 短，前者小于 8．4ms，后者大于 8．4ms。2)波 耦合到地下电统 ，再传到整机的 I／O端 。上述 形 ，电压瞬变的波形是正弦波或按指数规律衰 4种原因形成的电压、电漉、上升时间和持续时 减 ，一般与高阻抗 内阻有关 ，浪涌的波形往往 问由表 1所示 ，表 l中a为直接造成的瞬变状 是方渡或按指数规律衰减，一般与低阻抗内阻 态，b为间接造成的瞬变状态。 有关。3)电压变化范围t电压瞬变的变化范围 为了提高整机和系统的可靠性 ，必须对 电 宽，从几毫伏至 4万伏 ，浪涌波形 的幅度 99 压瞬变和浪涌采取防护措施 ，一是要使整机和 不会超过正常工作电压的3倍，9O 不会超过 系统接地，整机和系统的地 (公共端)和大地 正常工作电压的2倍。造成 电压瞬变和浪涌的 应分开，整机和系统中的每个子系统应有独立 原因有4种：①家电等整机接人电网或断开电 的公共端，每个子系统之问需传输数据或信号 网时，出现持续时间很短的电压脉冲，它属于 时，应以大地为参考电平。接地线 (面)必须 电感性的电压瞬变。还有电容性 的电压瞬变 ，如 能流过很大的电流，如几百安堵。二是在整机 收囊 日期 I1998一O4—10 维普资讯 和系统中的关键部位 (如电脑的显示器等)应 采用电压瞬变和浪涌的防护器件 ，使电压瞬变 和浪涌通过防护器件旁路到