高速光器件光集成及光电集成.pdfVIP

维普资讯 199T年 5月 电 信 科 学 Vo1．13 No．5 第 13卷第 5期 TELECOMM UNICAT10NS SCIENCE M ay 1997 高速光器件的光集成及光电集成 ，、 李天培 — - — - _ _ _ - 一 一 i) (BellCommunicatlonResearch (Be]]core)，New Jersey．LISA) Chandrasekhar，S (BellLaboratoriestCrowtore[H_】】Lab，New Jersey．LISA ) 摘要 本文介绍了高速激光器的现状，并综述了高速激光器的光集成和接收机的光电集成。最后 ，讨论了光集成和 关键词成 其茹发 皇苎些 ／／Vc，? 1引言 近十年来，陆地和海底光纤通信系统的迅速发 展为世纪之交的现代化光纤网络奠定了基础 。随着 光缆成本的降低、光器件速率的提高和每 比特相对 成本的下降，预计几年后新的传输设备和分布设施 将全部实现光纤化 各种迹象表明：随着 Internet用 户数 目的增加，宽带业务的需求量也将增大。利用单 模光纤近30THz的带宽，一个以光纤为基础的光纤 网络将为人们所期望的 信息时代”提供各种宽带服 务。这些服务包括教育、电信业务、会议电视、交互式 ／s 数据库服务(例如金融、购物、图书馆等)、计算机网 信道 特翠 络、高清晰度电视 (HDTV)、点播娱乐服务和那些 目 围1 光通信系统容量 前我们尚未想到的其他业务。 近十年光波系统的迅速发展应部分归功于新型 当传输速率大于10Gbit／s时，人们普遍认为渡 半导体材料和高速光器件工艺技术的进展。量子阱 分复用(WDM)是充分利用光纤低损耗区近30THz 和应变量子阱激光器比普通双异质结激光器具有更 带宽的一种可行的技术 在WDM 系统中，总的传输 好的性能。在过去的30年里，半导体激光器的阈值电 能力为比特率与WDM信道数的系积。如图1所示， 流大大降低了(约为30年前的1／1000)，这一进展完 实对角线分别表示1Gbit／s、10Gbit／s、100Gbit／s 全归功于新的材料生长技术 ，如金属有机化学气相 和1Tbit／s的总容量。由图1可看到 。单信道系统的 沉积 (MOCVD)和分子束外延 (MBE)。利用这些技 速率每两年增加一倍，到1991年已达到2．5Gbit／s。 术可以生长出仅有一个单原子层的薄层材料。采用 容量的进一步提高需要通过增加更多的波长倍道来 许多组分交替变化的薄层可制备出材料的能带结构 实现。从1985年到1990年，实验室里WDM 实验多达 有根本性改变的量子阱和超晶格结构。在应变无驰 100个波长信道。目前通过提高每波长信道的传输速 豫的情况下，交替层晶格常数的微小失配还将会提 率来增大总的容量。到1996年，WDM传输实验的总 高材料的光学特性。由此研制出的激光器具有阈值 容量达到1，1Tbh／s[1]，而且这些波长在光网络中 电流小、输出功率大、调制速率高、频率啁啾小及线 可用作动态线路信号。最近又研制出几个可再建光 宽窄等特点。 网络实验床 “]，其容量在图1中用黑方块表示 在光接收机方面，过去十年里人们致力于开发