AlSb多晶薄膜的制备及性质.pdfVIP

第 16卷第 1期 功能材料与器件学报 Vo1．16．No．1 2010年 2月 JOURNALOFFUNCTIONALMATERIALSAND DEVICES Feb．，2010 文章编号 ：1007—4252(2010)01—0011—06 A1Sb多晶薄膜的制备及性质 贺剑雄 ，武莉莉 ，夏庚培 ，郑家贵 ，冯 良桓 ，雷智 ，李卫 ，张静全 ，黎兵 (1．四川大学材料科学与工程学院，成都 610064； 2．国家光伏产品质量监督检验 中心，成都 610200) 摘要：用磁控溅射法制备了A1／Sb多层薄膜，通过 x射线衍射(XRD)、x射线荧光(XRF)、Hall效 应、暗电导率温度关系及透过谱的测试研究了退火前后薄膜的结构和性质。XRD测试结果表明， 刚沉积的薄膜只有 sb的结晶相，而A1则以非晶态形式存在，500~(2退火后化合为A1Sb多晶，且沿 (111)择优取向。Hall效应测试、电导激活能及光能隙的计算结果表明，所制备的A1Sb多晶薄膜为 P型材料，且载流子浓度为 10cm～，光能隙为 1．64eV，电导率随温度的变化可分为两个过程，在 30~C到 11O℃，薄膜的电导率随温度的增加而缓慢增加，而在 1IO~C到260％间增加明显，升温电导 激活能为0．11eV和0．01eV，这与A1Sb多晶薄膜在升温过程中的结构变化有关。将制备的A1Sb 多晶薄膜应用于TCO／CdS／Alsh／znTe：Cu／Au结构的太阳电池器件 中，已观察到明显的光伏效应， 说明用这种方法制备的A1Sb多晶薄膜适于作太阳电池的吸收层。 关键词 ：A1Sb；薄膜 ；磁控溅射法；退火 中图分类号 ：TM914．4+2 文献标识码 ：A PreparationandpropertiesofAISbpolycrystallinefilms HEJian—xiong，WU Li—li，XIA Geng—pei ，ZHENGJia—gui，FENG Liang—huan ， LEIZhi，LIWei，ZHANGJing．quan ，LIBing (1．CollegeofMaterialsScienceandEngineering，SichuanUniversity，’Chengdu610064，China； 2．NationalPhotovoltaicProductsQualitySupervisionandInspectionCenter，Chengdu610064，China) Abstract：TheA1／Sbmulti—layerthinfilmswerepreparedbymagnetron sputteringmethod．Thestruc— tural，opticalandelectricalpropertiesofthefilmsbeforeandafterannealinghavebeenstudiedwithX — raydiffraction(XRD)，X—rayfluorescence(XRF)，Halleffect，thetemperaturedependenceofthe film darkconductivityandUV —Vistransmissionspectra．TheXRD resultsshowedthatonlytheSbpoly— crystallinepeakswereobservedinas—depositedfilmswhileA1existedinamorphousstate．Afterannea— lingat500％，thefilmsshowedA1Sbpeakswith (111)preferredorientation，whichsuggestedthatA1 andSbatomshavecombinedtoform A1Sbbyinterdiffusion．ThemeasurementresultsofHalleffe