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Sol—gel方法制备BiFeO3／Bi4Ti3O12多层薄膜及其电性能.pdf
第 16卷第 1期 功能材料与器件学报 Vol_16．No．1
2010年 2月 J0URNALOF FUNCTIONALMATERIALSAND DEVICES Feb．。2010
文章编号：1007—4252(2010)01—0017—05
Sol—gel方法制备 BiFeO3／Bi4Ti3O2多层薄膜及其电性能
王秀章 ，晏伯武 ，刘红 曰
(1．湖北师范学院物理与电子科学学院，黄石435002；
2．黄石理工学院计算机学院，黄石 435000)
摘要：采用溶胶 一凝胶方法在 FTO／glass底 电极上制备 了BiFeO3／Bi4Ti3O12和 Bi4Ti3O12／BiFeO3多
层薄膜。研究了室温下薄膜的结构，铁 电性质和介 电性质，并将其与纯的BiFeO 薄膜的性质进行
了比较。从薄膜 的XRD模式中可 以观察到共存 的BiFeO 相和BiTiO 相。通过电滞 回线测量可
以看出，相对于纯的BiFeO，薄膜，BiFeO。／BiTi，0 和BiTi。0 ／BiFeO，多层薄膜能够承受更高的
测试电场而获得充分极化，从而表现出较强的铁 电性，在450kV／cm测试 电场下，薄膜的剩余极化
强度分别为37~zC／cm 和 23~C／cm 。
关键词 ：无机非金属材料；BiFeO3薄膜 ；BiFeO3／BiTi3O12多层薄膜 ；铁 电性。
中图分类号：TM22；TM27 文献标识码 ：A
PreparationofBiFeO3／Bi4Ti3012multilayer、vith
Sol——gelMethodandItsElectricProperties
W ANG Xiu—zhang ，YAN Bo—WU ，LIU Hong—ri
(1．SchoolofPhysicsandElectronicScience，HubeiNationalUniversity，Huangshi435002，Chnia；
2．SchoolofcomputerscienceandTechnology，HuangshiInstitueofTechnology， Huangshi435003，China)
Abstract：BiFeO3／Bi4Ti3O12muhilayerfilm waspreparedon FTO／glassbottom electrodesby sol—gel
process．Structure，ferroelectricandDielectricpropertiesatroom temperaturewerestudiedbycomparing
withpureBiFeO3film．BiFeO3andBi4Ti3Ol2phasecanbeidentifiedfrom theXRDpattern
． Comparing
withpureBiFeO3film ，theBiFeO3／Bi4Ti3Ol2andBi4Ti3O12／BiFeO3muhilayerfilm can endurehigher
appliedfieldandthusgettingfullypolarizationand show moreintenseferroelectricity Underan applied
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