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维普资讯 188 中国原子能科学研究院年报 2007 锗单晶真空热压形变设备和工艺 肖红文，余周香 中子单色器是中子散射谱仪的关键部件之一。使用效率更高的新型中子单色器将给中子散射谱 仪带来极大的性能提升，垂直聚焦中子单色器可提高样品位置处中子束强度 2～5倍，相应的中子 散射实验测量时间将缩短 2～5倍。显然，垂直聚焦中子单色器在提高反应堆中子源的利用效率上 是一种经济有效的手段。考虑到新旧谱仪对于中子单色器的迫切需求，我们决定建立一个 自主研发 聚焦中子单色器工艺平台。 锗单晶真空热压炉是研发聚焦中子单色器的 1台主要工艺设备，可通过真空热压的方式实现对 锗单晶薄片的塑性形变处理，生产具有各向异性嵌镶结构的锗晶体薄片。 锗单晶真空热压炉的设计 目标是以一种受控的和可重复的工艺生产高质量的各向异性嵌镶锗 晶体，亦即每个单晶片在热压后各向异性且侧向形变均匀，不同批次的晶体在形变后具有近乎相同 的质量。与此同时，这台设备也具有一定的通用性，可以作为研发其它新型中子单色器的辅助设备。 根据这个要求，我们制定了锗单晶真空热压炉设计的总体思路：主要参数方便可调，适用于多种工 艺流程(适于摸索最佳的工艺参数)，具备循环作业能力且采用半 自动化的操控方式(提高生产效率)。 采用薄单晶热压形变技术 。原始锗单晶薄片通过人工生长方法得到，尺寸为076alia×0．4i／lnl。 在完成热压形变后这些圆形的锗单晶薄片堆叠成厚块单晶，组装成垂直聚焦 中子单色器 。依照以上 的设计思路，我们投入两年多的时间完成设计、建造和调试过程，目前，该设备已经开始正常的工 作。该设备有循环作业能力，具有 4个工作位置 ，依次循环作业。 锗单晶真空热压炉是国内第一台用于生产各向异性嵌镶晶体的工艺设备，目前在国际上只有美 国、法国、丹麦等几个国家的中子散射实验室拥有此类设备。我们 自主研发的这台设备在设计上有 突破，采用了 炉体倒置的方式，实现4个工位连续循环作业，这与国际上现有的此类设备相比， 极大地提高了生产效率。 该设备 目前主要用于研制锗单晶垂直聚焦 中子单色器，后者可 以实现在样品位置处提高中子强 度达 2～5倍的目标。一方面，在不改变谱仪分辨的条件下，实验测量时间相应的缩短2～5倍，与 此 同时，这台设备的研制成功还将带来一些新的研究课题，可开展聚焦 中子单色器的研制工作，其 中，尤为关键的课题即是研发新型中子单色器；另一方面，还可开展锗单晶塑性形变机理的研究工 作，这类工作 目前国内还没有报导，属开创性工作。 AMS专用注入器同时测量方法进展 窦玉玲 ，何 明，拓 飞 ，姜 山 (1广西大学 物理科学与工程技术学院，广西 南宁 530004；2兰州大学 核科学与技术学院，甘肃 兰州 730000) 中国原子能科学研究院H1．13串列加速器质谱装置新的注入器系统具有同时测量的功能。在注 入磁铁后有两个偏置法拉第筒，在探测器测量待测核素的同时，可以用它来测量其稳定同位素的束 流，实现放射性核素和稳定核素的同时测量。这样，避免了束流不稳定造成的误差，实现了高精度 测量。偏置法拉第筒的移动范围为25~75IIL1Tt。因此，M／AM(AM为放射性同位素和其稳定同位素 的质量数之差)为22~64之间的离子均可采用同时测量，以提高精度。在测量 36cl时，检验了这种 方法的可靠性，测量结果如图1所示。其中，／(off-setcup)为偏置法拉第筒测量的束流经束流积分 仪在一定时间内积分后通过计算得到的束流的平均值 ：I(F3一cup)为中心法拉第筒的测量束流 。由图 维普资讯 基础和应用基础研究 ·核物理 1可看出，用偏置法拉第筒和 F3．cup测得的束流具有很好的线性关系，斜率基本为 1。这说明，同 时测量装置可很好的监测束流变化，实现高精度测量。 J(F3一cup)