GaN与GaAsNEA光电阴极稳定性的比较.pdfVIP

第 32卷 第2期 红 外 技 术 Vb1．32 NO．2 2010年2月 InfraredTechnology Feb． 2010 微光技术 GaN与GaAsNEA光电阴极稳定性的比较 郭向阳，常本康，乔建良，王晓晖 (南京理工大学 电子工程与光电技术学院，江苏 南京 210094) 摘要：利用 自行研制的光电阴极激活评估实验系统，对激活后的反射式GaN及GaAs光电阴极进行了 稳定性测试，获得了Cs／O激活一段时间后阴极随时间变化的光谱响应，通过计算得到量子效率曲线。 结果表明：激活结束后GaN灵敏度可以在较长时间内保持稳定，而后缓慢衰减。而GaAs光电阴极的 光电流随时间近似呈指数衰减。结合阴极表面双偶极层结构以及表面化学成分，分析原因主要是：两 种阴极表面进行Cs／O激活后形成的双偶极子的结构不同、衰减过程中双偶极层化学成分变化方式不 同决定。GaN光电阴极激