变温C-V和传输线模型测量研究AlGaNGaNHEMT温度特性.pdfVIP

第 27 卷 　第 5 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 5 2006 年 5 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS May ,2006 变温 CV 和传输线模型测量研究 Al Ga N/ Ga N HEMT 温度特性 王 　冲 　张金风 　杨 　燕 　郝 　跃 　冯 　倩 　张进城 ( 西安电子科技大学微电子研究所 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 , 西安 　7 1007 1) 摘要 : 通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温 CV 测量和传输线模型变温测量 ,研究了蓝宝石衬底 Al GaN/ GaN 异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在 25～200 ℃之间的变化 ,分析了载流子浓度分布 、沟道方块电阻、欧