薄膜的基本性质.pptVIP

第二章 薄膜的性质 在以固体电路为中心的电子学领域中，以及在分子束外延膜等有应用前途的光电子学领域中，单晶膜起着重要的作用。但是常用的还是以多晶膜为多。这里，叙述有关薄膜的基本性质。 导电性 薄膜和热平衡状态下制造的金属，二者生成过程完全不同。薄膜是由岛状构造开始，且在急热急冷的状态下生成的，因此薄膜内缺陷很多。这样，其导电性就表现出与整块的金属的导电性不同的特殊性质。 在研究薄膜的导电性时，同气体情况下相类似要考虑到电子的平均自由程与膜厚的关系。 导电性 （1）膜厚小于平均自由程 在薄膜为岛状构造的情况下，电子是沿着岛流动的，最终电子必须以某种方法通过微晶体之间的空间，因此，在膜层较薄时，电阻率是非常大的。当膜厚增加达到数百埃，电阻率就会急剧地减小；但是，因晶粒界面的接触电阻起很大的作用，所以和整块材料时相比，电阻率还是要大的多。晶粒界面上会吸附气体，发生氧化，当这些地方为半导体时，甚至会出现随温度的升高电阻减小的情况。 单晶膜是在高温下生成的，没有晶粒界面的问题，所以一般说来电阻率小些。如果蒸镀和溅射比较，溅射的膜由于核的密度较高，电阻率也较小些。 导电性 膜厚远远大于平均自由程 随着膜厚增加，薄膜的电阻率会接近整块材料的值，但一般仍要比整块的值大一些。这是由于微晶粒之间的接触电阻核晶体中存在的晶格缺陷的密度大于整块材料的这两个因素加起来造成的。 二、电阻温度系数（TCR）