学习子情境1 霍尔传感器与单片机 接口.pptVIP

开关型霍尔集成电路的史密特输出特性 回差越大，抗振动干扰能力就越强。 当磁铁从远到近地接近霍尔IC，到多少特斯拉时输出翻转？当磁铁从近到远地远离霍尔IC，到多少特斯拉时输出再次翻转？回差为多少特斯拉？ * * 学习子情境1 霍尔传感器与单片机 接口 学习情境三 脉冲式传感器与单片机接口 3.1.1 霍尔传感器工作原理 3.1.2 霍尔元件的结构和基本电路 3.1.3 霍尔元件的主要特性参数 3.1.4 霍尔元件误差及补偿 3.1.5 霍尔集成电路 3.1.6 霍尔式传感器的应用 3.1.7 霍尔传感器与单片机接口实例 3.1.1 霍尔传感器工作原理 半导体薄片置于磁场中，当它的电流方向与磁场方向不一致时，半导体薄片上平行于电流和磁场方向的两个面之间产生电动势，这种现象称霍尔效应。 产生的电动势称霍尔电势 半导体薄片称霍尔元件 霍尔效应原理 载流子受洛仑兹力 霍尔电场强度 平衡状态 电子运动平均速度 因为 霍尔电势 霍尔常数 霍尔常数大小取决于导体的载流子密度： 金属的自由电子密度太大，因而霍尔常数小，霍尔电势也小， 所以金属材料不宜制作霍尔元件。 霍尔电势与导体厚度d成反比： 为了提高霍尔电势值， 霍尔元件制成薄片形状。 霍尔元件灵敏度（灵敏系数） 半导体中电子迁移率（电子定向运动平均速度）比空穴迁移率高， 因此N型半导体较适合于制造灵敏度高的霍尔元件， 3.1.2 霍尔元件的结构和基本电路 霍尔元件 图（a）中，从矩形薄片半导体基片上的两个相互垂直方向侧面上，引出一对电极，其中1-1电极用于加控制电流，称控制电极。另一对2-2电极用于引出霍尔电势，称霍尔电势输出极。在基片外面用金属或陶瓷、环氧树脂等封装作为外壳。 图（b）是霍尔元件通用的图形符号。 图（c）所示，霍尔电极在基片上的位置及它的宽度对霍尔电势数值影响很大。通常霍尔电极位于基片长度的中间，其宽度远小于基片的长度。 图（d）是基本测量电路 。 3.1.3 霍尔元件的主要特性参数 当磁场和环境温度一定时: 霍尔电势与控制电流I成正比 当控制电流和环境温度一定时: 霍尔电势与磁场的磁感应强度B成正比 当环境温度一定时: 输出的霍尔电势与I和B的乘积成正比 测量以上电阻时，应在没有外磁场和室温变化的条件下进行。 霍尔元件的主要特性参数： (1) 输入电阻和输出电阻 输入电阻：控制电极间的电阻 输出电阻：霍尔电极之间的电阻 (2) 额定控制电流和最大允许控制电流 额定控制电流：当霍尔元件有控制电流使其本身在 空气中产生10℃温升时，对应的控制电流值 最大允许控制电流：以元件允许的最大温升限制所对 应的控制电流值 (3) 不等位电势Uo和不等位电阻ro 不等位电势：当霍尔元件的控制电流为额定值时，若元件所处位置的磁感应强度为零，测得的空载霍尔电势。 不等位电势是由霍尔电极2和之间的电阻决定的， r 0称不等位电阻 (4) 寄生直流电势 霍尔元件零位误差的一部分 当没有外加磁场，霍尔元件用交流控制电流时，霍尔电极的输出有一个直流电势 控制电极和霍尔电极与基片的连接是非完全欧姆接触时，会产生整流效应。 两个霍尔电极焊点的不一致，引起两电极温度不同产生温差电势 (5) 霍尔电势温度系数 在一定磁感应强度和控制电流下，温度每变化1度时，霍尔电势变化的百分率。 3.1.4 霍尔元件误差及补偿 1. 不等位电势误差的补偿 2. 温度误差及其补偿 1. 不等位电势误差的补偿 可以把霍尔元件视为一个四臂电阻电桥，不等位电势就相当于电桥的初始不平衡输出电压。 电势的补偿电路 对称电路 当温度变化时，补偿的稳定性要好些 2. 温度误差及其补偿 温度误差产生原因： 霍尔元件的基片是半导体材料，因而对温度的变化很敏感。其载流子浓度和载流子迁移率、电阻率和霍尔系数都是温度的函数。 当温度变化时，霍尔元件的一些特性参数，如霍尔电势、输入电阻和输出电阻等都要发生变化，从而使霍尔式传感器产生温度误差。 减小霍尔元件的温度误差 选用温度系数小的元件 采用恒温措施 采用恒流源供电 恒流源温度补偿 霍尔元件的灵敏系数也是温度的函数，它随温度的变化引起霍尔电势的变化，霍尔元件的灵敏系数与温度的关系 KH0 为温度T0时的KH值； 温度变化量； 霍尔电势的温度系数。 大多数霍尔元件的温度系数α是正值时， 它们的霍尔电势随温度的升高而增加（1+α△t）倍。 同时，让控制电流