2013年高考总复习物理高考热点集训（九）.pptVIP

故整个装置消耗的机械功率为(F＋μmgcosθ)v, 即选项B不正确. 由于R1＝R2＝2R, 棒的电阻也为2R, 当上滑的速度为v时, 定值电阻R2消耗的电功率为P, 则定值电阻R1消耗的电功率也为P, 根据电路的基本特点, 此时导体棒ab消耗的电功率应该为4P, 故整个电路消耗的电功率为6P, 同时克服安培力做功转化为电功率, 所以导体棒受到的安培力的大小为 F＝6P/v, 即选项C正确, 而D错误. 6. 如图9－9所示, 质量m1＝0.1 kg, 电阻R1＝0.3 Ω, 长度l＝0.4 m的导体棒ab横放在U型金属框架上. 框架质量m2＝0.2 kg, 放在绝缘水平面上, 与水平面间的动摩擦因数μ＝0.2.相距0.4 m的MM′、NN′相互平行, 电阻不计且足够长. 电阻R2＝0.1 Ω的MN垂直于MM′.整个装置处于竖直向上的匀强磁场中, 磁感应强度B＝0.5 T. 图9－9 垂直于ab施加F＝2 N的水平恒力, ab从静止开始无摩擦地运动, 始终与MM′、NN′保持良好接触. 当ab运动到某处时, 框架开始运动. 设框架与水平面间最大静摩擦力等于滑动摩擦力, g取10 m/s2. (1)求框架开始运动时ab速度v的大小; (2)从ab开始运动到框架开始运动的过程中, MN上产生的热量 Q＝0.1 J, 求该过程ab位移s的大小. 解析: (1)a