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高 菊等 ：一种高精度的CMOS带隙电压基准 高精度的CMOS带隙电压基准 高 菊 。，周 玮 门 (1．重庆大学 重庆 400065；2．中国电子科技集 团公 司第二十 四研究所 模拟集成电路 国家级重点实验室 重庆 400060； 3．重庆邮电大学 重庆 400065) 摘 要 ：介绍一种采用二阶补偿技术的带隙电压基准电路 。基于一阶 曲率补偿 的带隙电压基准 ，利用晶体管基极一发射 极电压 yb与温度 T的非线性关系，通过 PTAT 电路补偿 的二阶项，从而改善 了基准电压的温度特性 。Cadence软件仿 真结果表 明，工作 电压为5V，在一35～+110C的温度范围内，其温度 系数可达 2．89ppm／C。 关键词 ：带隙电压基准 ；二阶曲率补偿 ；温度系数 ；Cadence 中图分类号 ：TN710 文献标识码 ：A 文章编号 ：1004—373X(2010)02—012—03 HighPrecisionCMOSBandgap VoltageReference GA()Ju一．ZHOUW ei。‘ (1．ChongqingUniversity，Chongqing．400065．China；2．NationalLaboratoryofAnalogIntegratedCircuits．No．24ResearchInstitute．CETC，Chongqing，400060。China 3．ChongqingUniversityofPostsandTelec0mmLmlcatl0ns．Chongqing．400065．China) Abstract：A high—precisionbandgapreferencecircuitwithhigh—ordercompensationtechniqueispresented．Basedonthe BGR withfirst—ordercurvaturecompensationandusingbase—emittervoltageVbSnonlineardependenceoftemperatureT， thetemperatureperformanceofthevoltagerefereneehasbeen enhanced byoffsetting thehigh—orderterm inVbwith a PTAT!term．Simulationresultshowsthatsinglepowersupplyis5V。thetemperaturecoefficientis2．89ppm／℃ overthe rangeof一35～ + l10 C． Keywords：bandgapvoltagereference；second—ordercurvaturecompensation；temperaturecoefficient；Cadence 0 引 言 1 电路结构及原理分析 集成电路 的飞速发展 ，使得电压基准被广泛用于 1．1 二 阶补偿 原理 ADC，DAC，LDO等模拟或混合 电路 中。带隙 电压基 传统 的带隙电压基准是通过双极晶体管的基极一发 准的温度特性 、PSRR、精度等会影 响到 ADC和 DAC 射极电压 的负温度特性和 PTAT 电流的正温度特 的转换精度 ，甚至影响到整个电路和系统的性能。随着 性 ，以适当的权重相加，从 而得到具有 良好温度特性的 数据转换精度的不断提高 ，一阶曲率补偿带隙电压基准 电压。但是 与温度 的关系不是完全线性 的，在 k 的温度系数很难满足电路应用的要求 。 的泰勒展开式中存在着较多的