LDO线性稳压器中CMOS带隙基准电路的设计.pdfVIP

仪器仪表用户 旦经验童鎏旦 doi：10．3969／j．issn．1671—1041．2010．01．033 LDO线性稳压器 中．CMOS带隙基准 电路的设计 谢亚伟 。张 睿 (合肥工业大学 微 电子设计研究所，合肥 230009) 摘 要：设计了一款应用于LDO线性稳压器的高性能CMOS带隙基准 电路．详细分析了它的工作原理，并给出了具体电路、仿真波形以及分 = ＆+(VrInn)(1+-b--) (3) 1 3 析数据。该电路的主要特点是采用双PN结串联和基极电流补偿的结 式中， 的温度系数 a ／aT可看作是负常数， 又与绝对 构。并引入衬底电压产生电路。具有很好的温度特性和很高的电源抑制 温度成正 比，通过选择合适的n、R2、R3就可以得到零温度系 比。当温度从一40—125℃变化时。温度系数约为 37ppm／℃；同时，其 数，且该结果与电阻的温度系数无关。 电源抑制比(PSRR)为76．3dB。此外。该电路还可为 LDO 中其它 电 路模块提供PTAT电流 。 1．2 本文的设计考虑 关键词：带隙基准；LDO稳压器 ；温度系数；电源抑制 比 实际电路中运算放大器不可避免地存在一定的失调电压 中图分类号：TN47 文献标识码 ：B ， 在图1电路中，运放的输入失调电压会使输出电压产生误 差 J【。实际的基准输出为： 0 引言 ， 、 ： 砚+l、1+K)(VrInn—Vos) (4) 随着便携式电子产品的 日趋普及 ，产品中新的应用层出 3 ， 不穷，功能变得越来越复杂，但是其大小却 日趋小巧轻薄，这 从式 (4)可以得知，为了不降低输出基准电压的性能 ，运 对电源管理芯片提出了越来越严格的要求。由于 LDO线性稳 放的输入失调 电压应尽可能小且不依赖于温度的变化。本设 压器具有结构简单、抗干扰、低功耗、低噪声和高 PSRR(电源 计采取了一些措施 ，在电路和版图中加以补偿，尽可能地减小 抑制比)等特性，因而它在便携式 电子产品中获得广泛应 失调电压V。的影响。首先，在运放中采用大尺寸MOS管，并仔 用 ¨儿 。带隙基准是线性稳压器的重要模块 ，基准 电路不仅 细选择版图的布局使得失调最小。其次，将两个双极晶体管 Q， 为LDO稳压器中的其他 电路模块提供与电源和工艺无关、受 和Q：的集 电极 电流 比率 m设计得大些，使得 vv = 温度变化影响极小的基准电压 ，并且提供精确稳定的偏置电 VIn(mn)。第三，电路的每个分支可以采用两个PN结串联结 流 J。它的精度和稳定性直接影响LDO的性能，是决定 LDO 构，将△ 增加一倍。则式(4)变为： 精度的主要因素之一。所以研究与设计高精度和稳定的带隙 ， 、 基准电路对LDO有着十分重要的意义。 V =2VB+l＼1+芸托兰l(2VTInmn—V。。) (5) 3