130nmNMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应.pdfVIP

器件制缝与应国 Manufaetm~g加d俐 icad锄ofl~vico doi：10．3969／j．issn．1003—353x．2010．01．011 130nm NMOS器件的单粒子辐射 电荷共享效应 陈超，吴龙胜 ，韩本光，方勇，刘佑宝 (西安微 电子技术研究所 ，西安 710054) 摘要：研究了同一P阱内两个130nmNMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应 。使 用TCAD仿真构造并校准了130nmNMOS管。研究了在有无P 保护环结构及不同器件间距下，处于 截止态的NMOS晶体管之 间的电荷共享，给 出了电荷共享效应与 SET脉冲 电流产生的机理。同时分 析了NMOS晶体管中的寄生双极管效应对反偏漏体结电荷收集的加剧作用。仿真结果表明，P保护 环可以有效地减小NMOS器件 间的电荷共享，加速 SET脉冲电流的泄放，证 实了P 保护环对器件 抗单粒子辐射的有效性 ，从而给出了该方法在抗单粒子辐射器件版图设计中的可行性。 关键词 ：电荷共享；超深亚微米 ；器件模拟 ；单粒子辐射 ；寄生双极管效应 中图分类号：6774；TN386