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7th CSPV 杭州
铸锭多晶硅晶体质量的演变规律铸锭多晶硅晶体质量的演变规律
刘振淮刘振淮
July ，2011
常州天合光能常州天合光能
光伏科学与技术国家重点实验室
11. 背景背景((BackgroBackgroundnd))
22. 实验方法和设计实验方法和设计((ExperimentExperiment designdesign))
33. 实验数据分析实验数据分析((ExperimentExperiment datadata analysis)analysis)
4. 结论结论((Conclusion))
背景铸锭多晶硅的特征
CZ-Si mc-Si
Sample Eff%* Dislocation density/cm2 Fe impurity /cm3
CZ-Si 18%~19.5% 103 3E11~1.7E15
33 99
McMc-SiSi 1616.5%5%~ 18%18% 1010 ~ 1010 6E146E14~11.5E165E16
3
*行业内报道结果
背景微缺陷与电池性能关系
杂质与缺陷的存在显著
降低电池效率降低电池效率！！
B. Sopori, P. Rupnowski, V. Mehta, etc,
National Renewable Energy Laboratory
(USA(USA 2009)2009)
4
背景微缺陷研究现状
杨德仁杨德仁 教授授 团队团
太阳能学报，2006，27（4）365
Phys. Stat. Sol. (a) 171, 1999,175,
分别在分别在900900℃℃和和400400℃℃ 引入引入Cu/FeCu/Fe沾污沾污 PhysicaPhysica B,B, 2004,2004, 344,344, 11
的铸造多晶硅中晶界的SE、EBSD和 Eur. Phys. J. Appl. Phys. 27, 2004, 119
EBIC图像
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