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- 2017-08-27 发布于安徽
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摘要
摘要
本文主要围绕CMOS图像传感器的动态范围扩展技术展开研究,总结分析
了当前主要的动态范围扩展技术,选用性能较优的条件重置技术作为本文的核
心,深入研究了条件重置像素结构各参数的选取依据,并且对指数时间采样条件
重置像素结构进行创新性改进。同时,设计了一种新型的12位扩展ADC,作为
指数时间采样条件重置CMOS图像传感器的列级ADC。
本文首先阐述了光电管的特性以及数理等效模型,包括电路模型和主要噪声
模型,在此基础上给出CMOS图像传感器关键参数的推导,主要包括动态范围、
信噪比两个重要参数模型,进而以这两个参数为主要依据对常规条件重置技术和
指数采样条件重置技术进行性能分析,给出了相关参数(比较电压、采样时间)
的选取依据。
通过对指数时间采样条件重置像素工作时序的分析,得出像素在积分周期内
存在多次的无效写SRAM操作的结论。对电路的工作时序进行优化,并加入脉
冲生成电路,消除SRAM的无效写操作。设计了一种新型的可配置单稳态脉冲
生成电路,利用工作在亚阈值区域的NMOS管作为电容的充放电回路,电路结
构更好地与CMOS工艺兼容。对整个像素单元进行数模混合仿真验证,证明
SRAM写操作的有效性以及新型指数时间采样条件重置像素工作的可靠性。像素
单元的动态范围在常规条件重置电路的基础上提高12dB,SRAM平均写操作次
数由2.1/2N次降为1次。
针对新型指数时间采样条件重置像素输出信号的特殊性,设计了一种新型的
12位扩展ADC(基于8位逐次逼近ADC结构),可以对像素的模拟输出电压和
SRAM中重置时间数值进行处理,直接输出合成后的转换数值。设计的主要模块
包括电荷再分配电容阵列DAC模块、迟滞比较器模块和移位SAR数字模块。利
用数模混合仿真对输入信号进行全摆幅扫描,ADC呈良好的线性输出,并对ADC
的失调误差、积分非线性和微分非线性等性能参数进行了分析。
关键词:CMOS图像传感器指数时间采样条件重置单稳态脉冲逐次逼近ADC
Abstract
Abstract
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This aims extending dynamicrange
paper
CMOSsensor.It andconcludedcurrent methodsof
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