GaAs%2fAlGaAs半导体量子级联激光器设计.pdfVIP

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  • 2017-08-27 发布于安徽
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GaAs%2fAlGaAs半导体量子级联激光器设计.pdf

中文摘要 摘要:量子级联激光器(QcLs)是量子裁剪技术及量子设计应用在中远红外波段 激光发射器设计上的优秀成果。对量子级联激光器的研究设计,具有重要的理论 意义和实用价值,无论在污染监控、激光光谱学,还是在医学,通讯,光检测等 领域都有着重要的应用前景及价值。 自出现以来,量子级联激光器便一直通过多样的设计方式在 GaAS/AlGaAs异质结构上也成功实现了量子级联激光器的设计并呈现出更多的优 点。 本论文对量子级联激光器的发展历史及发展现状做了简要概述,主要研究了 &溘s/AlGa舡量子级联激光器设计,并取得以下成果。 1.论文介绍了对薛定谔方程的数值解法,利用matlab语言对其进行编程实现 对薛定谔方程的数值解,另外,我们推导了半导体量子级联激光器激射跃迁发光 的速率方程,得到了相应的粒子数反转条件。 2.介绍了基于不同材料体系下半导体量子级联激光器的不同特点,并给出了基 于彳厶,G%,彳s材料体系有源区三阱结构激射波长为18.3∥聊的半导体量子级联激 光器的设计,包括有源区单元厚度、垒高、量子阱宽度、垒宽度以及偏压的选择 等。 3.计算出了基于4fn,G%,加材料体系有源区三阱结构激射波长为18.3∥聊的半 导体量子级联激光器有源区

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