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藍色發光二極體 Blue LED Sapphire Base 藍寶石基材 切割製程介紹 家榮股份有限公司 Sapphire的特色 Sapphire材質相對於其他材質 Silicon, GaAs, LiNBO3,Quartz… 是屬於較硬的材料. Sapphire的硬度與刀片內所含的人工鑽的硬度相當. 切割製程 晶片規格 Wafer size: 2” wafer Wafer thickness: 100umt Die size: 0.3x0.3 Street: 50um 切割方法 一 ---多刀切穿法 特點: 切割品質好 Chipping約在3-5um 產能最差 晶片面積利用率高刀片壽命最短 一把刀片可切1/4晶片 切割深度控制困難 切割方法 一 ---多刀切穿法 Blade type: ZH202J-SE 27HBCC Spindle rpm: 20K Cutting depth: into wafer 15um each time Cutting speed: 5mm/s 切割方法 二 ---一刀切穿法 特點 製程較簡單 切割品質最差 Chipping約70-90um 刀片壽命最長 一把刀片可切2-3片晶片 產能最大 晶片面積利用率最低 切割方法 二 ---一刀切穿法 Blade type: Metal Bond or Nickel Bond blade 刀片厚度在0.05-0.1mm Spindle rpm: 30K Cutting depth: Cut through Cutting speed: 5mm/s 切割方法 三 ---表面溝槽法 特點 切割品質好 Chipping約在3-5um 產能較差 晶片面積利用率高 刀片壽命短 一把刀片可切約1-2片晶片 需要額外的機器Scriber和Breaker 切割深度不易控制 切割方法 三 ---表面溝槽法 Blade type: ZH202J-SE 27HBCC Spindle rpm: 20K Cutting depth: into wafer 5-15um Cutting speed: 5mm/s 固定方法 Wax 固定效果好 製程麻煩 成本較低 需要額外的加熱設備及清洗設備 結論 三種切割方法各有其優劣點,台灣客戶多以表面溝槽法切割藍光LED 注意事項: 刀片深度的控制 刀片磨耗的控制 晶片翹曲 War
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